- [吉致動態(tài)]先進半導體制造中的CMP Slurry:銅/鎢/碳化硅拋光液技術與國產化進展[ 2025-04-22 16:26 ]
- 化學機械平坦化(CMP)工藝是半導體制造中的核心技術,其通過化學與機械協(xié)同作用實現(xiàn)納米級表面精度,對集成電路性能至關重要。以下從技術、市場及國產化角度進行專業(yè)分析:一、CMP工藝核心要素拋光液(Slurry)化學組分:氧化劑(如H2O2用于Cu CMP)、磨料(納米SiO2/Al2O3)、pH調節(jié)劑及緩蝕劑,需針對材料特性(如Cu/W/SiC)定制配方。關鍵參數(shù):材料去除率(MRR)、選擇比(Selectivity)、表面粗糙度(Ra<0.5nm)及缺陷控制(如劃痕≤30nm)。吉致電子優(yōu)勢:25年技術積累可
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http://m.simplybyfaithhousing.com/Article/article-75841644231_1.html
- [應用案例]Sic Slurry 吉致電子碳化硅晶圓拋光液[ 2023-04-11 11:07 ]
- 吉致電子碳化硅精拋液,適用于Sic碳化硅晶圓襯底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度拋光、低粗糙度的特點,SiC碳化硅襯底拋光液拋光后的晶圓表面無劃傷、霧等缺陷,碳化硅晶片平坦度高。吉致電子研發(fā)的碳化硅拋光液稀釋比高、拋光后表面易清洗,被廣泛應用于半導體集成電路襯底的制造中。 吉致電子SiC Slurry wafer拋光液具有很好的流動性和分散性,不易結晶、易清洗、拋光效率高等優(yōu)點,可以滿足碳化硅晶片的精拋加工要求,也可根據(jù)客戶工藝調整做定制化硅晶圓(si wafer)
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http://m.simplybyfaithhousing.com/Article/sicslurryj_1.html
- [行業(yè)資訊]吉致電子--拋光液的主要成分和功能有哪些?[ 2022-07-22 16:52 ]
- 拋光液的主要成分可分為以下幾類:氧化鋁拋光液、氧化鈰拋光液、金剛石研磨液(聚晶鉆石拋光液、單晶金剛石拋光液、納米金剛石拋光液)、氧化硅拋光液、碳化硅拋光液。 硅溶膠拋光液(氧化硅拋光液)是以高純硅粉為原料,通過特殊工藝(如水解法)生產的高純度低金屬離子型拋光產品。廣泛應用于多種納米級材料的高平坦化拋光,如硅晶片、鍺晶片、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體材料、精密光學器件、藍寶石襯底、藍寶石窗口等。 金剛石拋光液以金剛石微粉為主要成分,高分散配方,硬度高韌性好,有良好的高切削率,不易
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http://m.simplybyfaithhousing.com/Article/jzdzpgydzy_1.html
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