- [行業(yè)資訊]碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案[ 2025-01-23 17:18 ]
- SiC CMP拋光液是一種用于對碳化硅襯底進行化學機械拋光的關(guān)鍵材料,通過化學腐蝕和機械磨損的協(xié)同作用,實現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化,從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量,達到超光滑、無缺陷損傷的狀態(tài),滿足外延應用等對襯底表面質(zhì)量的嚴苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案:①碳化硅硬度高:碳化硅硬度僅次于金剛石,這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方,以提高對碳化硅的去除速率。例如,采用高硬度、高活性的磨料,并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀,同時調(diào)整化學試劑的種類和濃度,增強
- http://m.simplybyfaithhousing.com/Article/thgcdcmpgy_1.html
- [行業(yè)資訊]吉致電子SiC碳化硅研磨墊國產(chǎn)替代[ 2024-12-31 14:03 ]
- 在碳化硅拋光墊/研磨墊(SiC CMP Pad)市場中,高端領域呈現(xiàn)出寡頭壟斷的格局。其中,杜邦Suba800系列產(chǎn)品被廣泛采用,同時也有部分客戶選擇杜邦的Suba600和Suba400系列,以及Supreme Series和Politex系列等產(chǎn)品。此外,日本廠商Fujibo也在市場中扮演著關(guān)鍵角色,其主打產(chǎn)品包括G804W、728NX和FPK66等型號。 在競爭激烈的半導體集成電路市場中,除了上述提到的幾款CMP拋光墊產(chǎn)品外,國內(nèi)一些新興企業(yè)也在不斷研發(fā)創(chuàng)新,試圖打破現(xiàn)有的市場格局,為
- http://m.simplybyfaithhousing.com/Article/jzdzsicthg_1.html
- [應用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]
- 根據(jù)半導體行業(yè)工藝不同,CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學機械拋光液、阻擋層化學機械拋光液、銅化學機械拋光液、硅化學機械拋光液、鎢化學機械拋光液、TSV化學機械拋光液、淺槽隔離化學機械拋光液等。 SIC CMP拋光液是半導體晶圓制造過程中所需主要材料之一,在碳化硅材料工件打磨過程中起著關(guān)鍵作用,拋光液的種類、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。 近年來,在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下,碳化硅襯底應用領域不斷擴大、市場規(guī)模不斷擴大,進而帶動
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