吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

銅化學(xué)機械拋光液---什么是TSV技術(shù)？

銅機械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)？TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢：TSV可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子

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拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？

  CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？  CMP拋光液越來越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門檻和市場壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來了更多的增長機會。  目前，第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力

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CMP拋光液廠家---蘋果Logo專用拋光液

  果粉們時常被MacBook，Iphone上閃閃發(fā)光的Apple Logo所驚艷到，那么蘋果手機和筆記本上的金屬Logo是如何實現(xiàn)鏡面工藝的呢？

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SIT Slurry平坦化流程與方法

淺槽隔離（shallow trench isolation），簡稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個部分：槽刻蝕，氧化硅填充，CMP拋光液平坦化。一，槽刻蝕1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護有源區(qū)在去掉氮化硅時免受化學(xué)污染2,氮化硅(Si?N?)淀積：氮化硅是堅硬的掩模材料，有助于保護STI氧化硅淀積過程中保護有源區(qū)；在化學(xué)機械拋光(CMP)中充當(dāng)阻擋材料3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體

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吉致電子藍寶石研磨液CMP減薄工藝

  藍寶石研磨液/拋光液，是通過化學(xué)機械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于藍寶石襯底、窗口片的研磨和減薄，達到減薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致電子藍寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件產(chǎn)生劃傷。  吉致電子藍寶石研磨液、CMP拋光液可以應(yīng)用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研

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稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類

  隨著光學(xué)技術(shù)和集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，對光學(xué)元件的精密和超精密拋光以及集成電路的CMP拋光工藝的要求越來越高，甚至達到了極其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。鈰系稀土拋光液因其切削能力強、拋光精度高、拋光質(zhì)量好、使用壽命長，在光學(xué)精密拋光領(lǐng)域發(fā)揮了極其重要的作用。吉致電子氧化鈰拋光液的種類和固含量可按拋光工件的用途來分：根據(jù)氧化鈰的含量，氧化鈰拋光液可分為低鈰、中鈰和高鈰拋光液，其切削力和使用壽命也由低到高。1.含95%以上氧化鈰的鈰拋光液呈淡黃色，比重約7.3。主要適用于精密光學(xué)鏡片的

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半導(dǎo)體拋光液--球型二氧化硅拋光液的用途

  球形硅微粉作為拋光液磨料，可大大提高產(chǎn)品的剛性、耐磨性、耐候性、抗沖擊性、耐壓性、抗拉性、阻燃性、良好的耐電弧絕緣性和耐紫外線輻射性。讓我們來看看球型二氧化硅拋光液在電子芯片中的一些應(yīng)用。  精密研磨粉高純球形硅粉用于光學(xué)器件和光電行業(yè)的精密研磨，特別適用于半導(dǎo)體單晶多晶硅片、顯像管玻殼玻屏、光學(xué)玻璃、液晶顯示器(LCD、LED)玻璃基板、壓電晶體、化合物半導(dǎo)體材料(砷化鎵、磷化銦)、磁性材料等半導(dǎo)體行業(yè)的研磨拋光。  吉致電子用高純球形硅粉制備成的超高純硅溶膠拋光液slurry,

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納米氧化硅拋光液的特點

  納米二氧化硅拋光液由高純納米氧化硅SiO2等多種復(fù)合材料配置而成，通過電解法或離子交換法制備成納米拋光液，硅拋光液磨料分散性好，具有高強度、高附著力、成膜性好、高滲透、高耐候性、高耐磨性等特點，是一種性能優(yōu)良的CMP拋光材料。廣泛應(yīng)用于金屬或半導(dǎo)體電子封裝拋光工藝中。吉致電子硅拋光液，CMP拋光slurry應(yīng)用范圍：1、可用于微晶玻璃的表面拋光加工中。2、用于硅片的粗拋和精拋以及IC加工過程，適用于大規(guī)模集成電路多層化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圓的后道CMP清洗等半導(dǎo)體器件的加工過程、平面顯示器、多

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半導(dǎo)體拋光液---半導(dǎo)體材料有哪些？

  半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為：第一代元素半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導(dǎo)體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因為禁帶寬度大于2.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在國內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道&

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陶瓷覆銅板DPC/DBC研磨拋光液工藝

  陶瓷覆銅板的制作工藝主要是DPC工藝和DBC工藝，DPC產(chǎn)品具備線路精準度高與表面平整度高的特性,非常適用于覆晶/共晶工藝,配合高導(dǎo)熱的陶瓷基體,顯著提升了散熱效率,是最適合高功率、小尺寸發(fā)展需求的陶瓷散熱基板。陶瓷覆銅基板需要用到CMP拋光工藝，利用拋光液和拋光墊達到表面光潔度或鏡面效果。  CMP拋光液對陶瓷覆銅基板的拋光研磨，可以做到粗拋、中拋、精拋效果。粗拋工藝，陶瓷覆銅板表面去除率高，快速拋磨。精拋工藝，基板表面無劃痕，可達反光鏡面效果。吉致電子針對陶瓷覆銅板制備的拋光研

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金屬手機邊框的鏡面拋光方法是什么？

  手機金屬外殼/手機邊框材質(zhì)一般為不銹鋼、鈦合金、鋁合金等，如華為\Iphone手機金屬邊框要達到完美的鏡面效果需要精拋步驟----手機鏡面拋光液slurry的主要成份是二氧化硅，二氧化硅拋光液外觀為乳白色，呈懸浮液狀態(tài)，在拋光過程中起到收光磨料的作用。  金屬手機精拋液的主要技術(shù)要求是什么呢？①鏡面拋光液PH值的選擇：PH值高低很可能會影響到最終的拋光效果，高低差別會導(dǎo)致手機金屬工件發(fā)黑氧化，以及麻點和起霧，所以如何控制PH值非常重要。②鏡面拋光液磨粒大小的選擇：氧化硅磨料顆粒大小，直接影響

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碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程

碳化硅襯底CMP化學(xué)機械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進行加工；主要目的是去除線切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對碳化硅襯底加工采用專門的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當(dāng)）又可以達到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精

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碳化硅襯底拋光液的特點

碳化硅半導(dǎo)體晶片的制作一般在切片后需要用CMP拋光液進行拋光，以移除表面的缺陷與損傷。碳化硅（Sic）晶片以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT）生長碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關(guān)器件。碳化硅襯底具有碳極性面和硅極性面，因為碳面與硅面的極性不同，所以化學(xué)活性也不同，故雙面cmp拋光速率具有差異。吉致電子碳化硅襯底拋光液（Sic Slurry）為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學(xué)機械平坦化配制的高精度拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓

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氧化鋁拋光液在藍寶石窗口中的應(yīng)用

  α -氧化鋁(Al2O3)是眾多氧化鋁晶相中的最穩(wěn)定的晶體相，它由其他晶相的氧化鋁在高溫下轉(zhuǎn)變而成，是天然氧化物晶體中硬度最高的物質(zhì)，硬度僅次于金剛石，遠遠大于二氧化硅溶膠顆粒，它是一種常用的拋光用磨料，被廣泛用于許多硬質(zhì)材料的拋光上。應(yīng)用于CMP拋光液制備中，常用于在藍寶石窗口的鏡面拋光工藝中。 α -氧化鋁(Al2O3)其實與藍寶石是同一種物質(zhì)或材料，材料結(jié)構(gòu)中的原子排列模式完全相同，區(qū)別在于多晶體與單晶體。因此，從硬度上講α-氧化鋁(Al2O3)納米粉體與藍寶石晶體的硬度相當(dāng)，可以用于

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藍寶石拋光液的成分

  藍寶石拋光液中的主要成分有磨料、表面活性劑、螯合劑、PH調(diào)節(jié)劑等，拋光液是影響CMP（化學(xué)機械拋光）效果最重要的因素之一。評價拋光液性能好壞的指標(biāo)是流動性好，分散均勻，在規(guī)定時間內(nèi)不能產(chǎn)生團聚、沉淀、分層等問題，磨料懸浮性能好，拋光速率快，易清洗且綠色環(huán)保等。  其中，磨料主要影響化學(xué)機械拋光中的機械作用。磨料的選用主要從磨料的種類、濃度以及粒徑三個方面來考慮。目前CMP拋光液中常用的磨料主要有金剛石、氧化鋁、氧化硅等單一磨料，也有氧化硅/氧化鋁混合磨料以及核殼型的復(fù)合磨料等。行業(yè)內(nèi)主流拋光

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CMP拋光液---復(fù)合磨料拋光液

  復(fù)合磨料拋光液  CMP拋光液產(chǎn)品除了混合磨料外，也有利用各種新興材料制備復(fù)合磨料，常用的方法有納米粒子包覆和摻雜等。如通過結(jié)構(gòu)修飾改善納米粒子的分散性、復(fù)合其他類型材料提升在酸、堿性拋光液中的綜合性能等。  復(fù)合磨料拋光液相比混合磨料和單一磨料，在材料去除率及表面粗糙度方面均有明顯的優(yōu)勢，能實現(xiàn)納米級或亞納米級超低損傷的表面形貌。但復(fù)合磨料的制備工藝相對比較復(fù)雜，目前僅處于實驗室探索階段，距離復(fù)合磨料在大規(guī)模生產(chǎn)上的應(yīng)用還有較遠的距離。  吉致電子科技25年拋光液生產(chǎn)廠

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藍寶石拋光液如何選？

  隨著科技的發(fā)展和迭代，3C科技產(chǎn)品對玻璃面板的要求越來越高，需要硬度更高且不容易劃傷的玻璃，因此藍寶石材質(zhì)的應(yīng)用和需求越來越廣泛，如手機藍寶石屏幕、藍寶石攝像頭、藍寶石手表等。藍寶石的特點是硬度高，脆性大，所以加工難度也大。  因此，很有必要研究并升級CMP拋光工藝在藍寶石窗口上的應(yīng)用。目前國內(nèi)批量生產(chǎn)藍寶石襯底的技術(shù)還不成熟，切割出來的藍寶石晶片有很深的加工痕跡，拋光后容易形成麻點或劃痕。在藍寶石襯底的生產(chǎn)中，裂紋和崩邊的情況比較高，占總數(shù)的5%-8%。拋光過程中影響拋光質(zhì)量的因素很多，如

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吉致電子--拋光液的主要成分和功能有哪些？

  拋光液的主要成分可分為以下幾類:氧化鋁拋光液、氧化鈰拋光液、金剛石研磨液(聚晶鉆石拋光液、單晶金剛石拋光液、納米金剛石拋光液)、氧化硅拋光液、碳化硅拋光液。  硅溶膠拋光液(氧化硅拋光液)是以高純硅粉為原料，通過特殊工藝（如水解法）生產(chǎn)的高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛應(yīng)用于多種納米級材料的高平坦化拋光，如硅晶片、鍺晶片、砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體材料、精密光學(xué)器件、藍寶石襯底、藍寶石窗口等。  金剛石拋光液以金剛石微粉為主要成分，高分散配方，硬度高韌性好，有良好的高切削率，不易

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CMP拋光液的拋光磨料有哪些？

CMP拋光液的拋光磨料有哪些？拋光液中常用的拋光磨料種類可分為天然磨料和人造磨料。1.天然磨料:自然界中所有可用于研磨或磨削的材料統(tǒng)稱為天然磨料。常用的天然磨料如下:金剛石、天然剛玉、石榴石和石英。2.人造磨料:人造磨料分為剛玉系列、碳化物系列、硬質(zhì)系列。剛玉系人造磨料：包括棕剛玉、白剛玉、鋯剛玉、微晶剛玉、單晶剛玉、鉻剛玉、鐠釹剛玉、黑剛玉和礬土燒結(jié)剛玉。碳化硅系人造磨料:碳化硅、鈰碳化硅、碳化硼、碳硅硼。硬質(zhì)人造磨料系列:金剛石（人造鉆石）和立方氮化硼。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，人造磨料品種已達幾十種，天然磨料由于自

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溫度對CMP拋光的影響有哪些

  化學(xué)機械拋光(CMP)中，拋光墊大面積接觸工件，提高了一致性和拋磨效率，然而在拋光過程中，拋光墊也會不斷地磨損和消耗，各種因素都會影響拋光墊的性能和使用壽命，其中直接的因素就是溫度。  在化學(xué)機械拋光過程中，拋光墊的溫度通常會在兩種情況下升高。一個是固體和固體之間的物理摩擦接觸。摩擦力引起的溫度上升可能導(dǎo)致拋光墊的局部溫度上升到30℃。當(dāng)拋光在液壓釋放模式下進行時，熱量釋放將被釋放。另一種是拋光液和拋光墊之間的化學(xué)反應(yīng)釋放的熱量引起的溫度升高。當(dāng)拋光墊的溫度超過一定限度時，拋光墊的聚氨酯材料

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