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吉致咨詢(xún)第73期:化學(xué)機(jī)械平坦化

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2016-07-21 09:03【

化學(xué)機(jī)械平坦化,英語(yǔ)是:Chemical-Mechanical Planarization, CMP。 又稱(chēng)化學(xué)機(jī)械研磨,英語(yǔ)是:Chemical-Mechanical Polishing。是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一種技術(shù),使用化學(xué)腐蝕及機(jī)械力對(duì)加工過(guò)程中的硅晶圓或其它襯底材料進(jìn)行平坦化處理。

 

CMP技術(shù)早期主要應(yīng)用于光學(xué)鏡片的拋光和晶圓的拋光。

 

20世紀(jì)70年代,多層金屬化技術(shù)被引入到集成電路制造工藝中,此技術(shù)使芯片的垂直空間得到有效的利用,并提高了器件的集成度。但這項(xiàng)技術(shù)使得硅片表面不平整度加劇,由此引發(fā)的一系列問(wèn)題(如引起光刻膠厚度不均進(jìn)而導(dǎo)致光刻受限)嚴(yán)重影響了大規(guī)模集成電路(LSI)的發(fā)展。針對(duì)這一問(wèn)題,業(yè)界先后開(kāi)發(fā)了多種平坦化技術(shù),主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜層等,但效果并不理想。80年代末,IBM公司將CMP技術(shù)進(jìn)行了發(fā)展使之應(yīng)用于硅片的平坦化,其在表面平坦化上的效果較傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有了大的改善,從而使之成為了大規(guī)模集成電路制造中有關(guān)鍵地位的平坦化技術(shù)。

 

工作原理:

    化學(xué)機(jī)械平坦化是在機(jī)械拋光的基礎(chǔ)上根據(jù)所要拋光的表面加入相應(yīng)的化學(xué)添加劑從而達(dá)到增強(qiáng)拋光和選擇性?huà)伖獾男Ч?/span>

 

 

 

 

 

 

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