碳化硅襯底提高加工速率和良品率的主要因素除了用對拋光液和拋光墊，在CMP拋光研磨過程的工藝參數(shù)也很重要：

1. 拋光壓力：適當(dāng)增加壓力可以提高拋光效率，但過高的壓力可能導(dǎo)致襯底表面產(chǎn)生劃痕、損傷甚至破裂。一般根據(jù)襯底的厚度、硬度以及拋光設(shè)備的性能，壓力范圍在幾十千帕到幾百千帕之間。

2. 拋光轉(zhuǎn)速：包括襯底承載臺的轉(zhuǎn)速和拋光墊的轉(zhuǎn)速。轉(zhuǎn)速影響拋光液在襯底和拋光墊之間的流動狀態(tài)以及磨料的磨削作用。較高的轉(zhuǎn)速可以加快拋光速度，但也可能使拋光液分布不均勻，導(dǎo)致表面質(zhì)量下降。轉(zhuǎn)速通常在每分鐘幾十轉(zhuǎn)到幾百轉(zhuǎn)之間調(diào)整。

3. 拋光時間：由襯底需要去除的材料量和預(yù)期的表面質(zhì)量決定。拋光時間過短，無法達到所需的平整度和粗糙度要求；過長則可能造成過度拋光，浪費時間和材料，甚至影響襯底的性能。需通過實驗和經(jīng)驗，結(jié)合實時監(jiān)測結(jié)果來確定合適的拋光時間。

4. 拋光液流量：確保碳化硅拋光液能持續(xù)有效地覆蓋在拋光區(qū)域。流量過小，可能導(dǎo)致磨料供應(yīng)不足，化學(xué)反應(yīng)不充分，影響拋光效果；流量過大，則會造成拋光液的浪費，增加成本，還可能影響拋光區(qū)域的穩(wěn)定性。流量一般根據(jù)拋光設(shè)備的規(guī)格和拋光工藝要求進行調(diào)整。

吉致電子碳化硅SiC拋光液特點：

·用于可擴展制造低缺陷功率和半絕緣 SiC（碳化硅）襯底的高性能Slurry拋光漿料。

·專為滿足Sic晶圓基片C面、單晶硅、多晶硅從研磨到 CMP工藝各階段的規(guī)格而設(shè)計

·定制硅晶圓工件 CMP 系統(tǒng)的優(yōu)化解決方案，以提供較低的成本

·高拋光速率的拋光液配方，快速高效同時保持均勻性、零亞表面損傷和低缺陷/劃痕

·Slurry拋光液可大批量制造 (HVM) 并與散裝輸送系統(tǒng)兼容

·可根據(jù)要求設(shè)計定制解決方案

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