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[吉致動態(tài)]國產替代｜吉致電子硅片CMP拋光液Slurry[ 2025-06-10 15:10 ]

一、CMP拋光技術：半導體制造的關鍵工藝化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半導體硅片制造的核心工藝之一，直接影響芯片性能與良率。在硅片加工過程中，CMP通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)原子級表面平坦化（粗糙度<0.2nm），滿足先進制程對晶圓表面超潔凈、超平整的要求。吉致電子CMP拋光液的三大核心作用①高效拋光：納米級磨料（如膠體SiO2）精準去除表面凸起，提升硅片平整度，減少微劃痕。②潤滑保護：特殊添加劑降低摩擦系數（<0.05），減少

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[吉致動態(tài)]3C產品鏡面拋光解決方案：無麻點SiO2氧化硅拋光液[ 2025-06-06 15:33 ]

為什么3C產品鏡面拋光首選CMP而非電解拋光？在3C行業(yè)（手機、筆記本、智能穿戴等），電解拋光因易導致邊緣過蝕、材料限制等問題，逐漸被CMP（化學機械拋光）取代。吉致電子通過納米級SiO?拋光液的機械-化學協(xié)同作用，可實現(xiàn)：①納米級精度：表面粗糙度Ra＜2nm，滿足光學級鏡面要求②復雜結構適配：適用于鋁合金中框、不銹鋼按鍵等異形件③效率提升：較傳統(tǒng)工藝縮短30%工時二氧化硅拋光液麻點問題深度解析客戶反饋的麻點問題多源于：硅溶膠腐蝕：低純度漿料中的Na?、Cl?引發(fā)金屬電化學腐蝕工藝缺陷：前道粗拋殘留劃痕＞0.1μm

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[常見問題]化學機械拋光（CMP）如何優(yōu)化陶瓷覆銅板平坦化？[ 2025-05-23 16:32 ]

陶瓷覆銅板（Ceramic Copper-Clad Laminate，簡稱陶瓷基覆銅板或DBC/DPC）是一種高性能電子基板材料，廣泛應用于高功率、高溫、高頻等苛刻環(huán)境下的電子器件中。它由陶瓷基板和覆銅層通過特殊工藝結合而成，兼具陶瓷的優(yōu)異性能和金屬銅的導電特性。陶瓷覆銅板CMP研磨液是一種專用于化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）工藝的特殊液體，用于對陶瓷覆銅板（如DBC、DPC等）表面進行高精度平坦化處理。其核心作用是通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應，去除銅層和陶

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[吉致動態(tài)]吉致電子：半導體陶瓷CMP工藝拋光耗材解析[ 2025-05-16 17:45 ]

在半導體陶瓷的化學機械拋光（CMP）工藝中，吉致電子（JEEZ Electronics）作為國產CMP耗材供應商，其拋光液（Slurry）和拋光墊（Polishing Pad）等產品可應用于陶瓷材料的精密平坦化加工。以下是結合吉致電子的技術特點，半導體陶瓷CMP中的潛在應用方案：吉致電子CMP拋光液在半導體陶瓷中的應用半導體陶瓷CMP研磨拋光漿料特性與適配性CMP Slurry磨料類型：納米氧化硅（SiO2）漿料：適用于SiC、GaN等硬質陶瓷，通過表面氧化反應（如SiC + H2O2 → SiO2 +

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[行業(yè)資訊]CMP阻尼布拋光墊：多材料精密拋光的解決方案[ 2025-05-13 15:51 ]

阻尼布拋光墊/精拋墊是CMP工藝中材料納米級精度的關鍵保障：在半導體化學機械拋光（CMP）工藝的最后精拋階段，阻尼布拋光墊（CMP精拋墊）扮演著決定晶圓最終表面質量的關鍵角色。這種特殊絲絨狀材料的CMP拋光墊，質地細膩、柔軟，表面多孔呈彈性，使用周期長。阻尼布拋光墊可對碳化硅襯底、精密陶瓷、砷化鎵、磷化銦、玻璃硬盤、光學玻璃、金屬制品、藍寶石襯底等材質或工件進行精密終道拋光，在去除納米級材料的同時，實現(xiàn)原子級表面平整度，是先進制程芯片制造不可或缺的核心耗材。精拋階段的特殊挑戰(zhàn)與需求與粗拋或中拋階段不同，精拋工藝面臨

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[吉致動態(tài)]Template無蠟吸附墊在半導體CMP中的應用[ 2025-04-29 15:33 ]

在硅片拋光（尤其是化學機械拋光CMP）工藝中，無蠟吸附墊（Wax-free Adhesive Pad）相比傳統(tǒng)蠟粘接方式具有顯著優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在工藝性能、缺陷控制、生產效率和環(huán)保合規(guī)等方面。吉致電子半導體行業(yè)晶圓、襯底、硅片專用無蠟吸附墊Template憑借五大核心優(yōu)勢，為半導體芯片生產帶來革新體驗。?①無蠟吸附墊:消除蠟污染，提升晶圓潔凈度傳統(tǒng)蠟粘接方式固定工件晶圓易造成蠟漬擴散、雜質吸附，干擾光刻、刻蝕等精密工序。吉致電子無蠟吸附墊 template 從源頭杜絕蠟質污染，為晶圓打造純凈加工環(huán)境，有效降低芯片不良

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[行業(yè)資訊]吉致電子：鎢CMP拋光液組成與應用解析[ 2025-04-25 10:52 ]

鎢CMP拋光液：半導體關鍵制程材料的技術解析——吉致電子高精度平坦化解決方案1. 產品定義與技術背景鎢化學機械拋光液（Tungsten CMP Slurry）是用于半導體先進制程中鎢互連層全局平坦化的專用功能性材料，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)納米級表面精度（Ra＜0.5nm），滿足高密度集成電路（IC）對互連結構的苛刻要求。2. 核心組分與作用機理3. 關鍵性能指標去除速率：200-600 nm/min（可調，適配不同工藝節(jié)點）非均勻性（WIWNU）：＜3% @300mm晶圓選擇

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[吉致動態(tài)]鉬襯底的應用領域及CMP拋光技術解析[ 2025-04-23 09:51 ]

鉬（Mo）襯底憑借其高熔點（2623℃）、高熱導率（138 W/m·K）、低熱膨脹系數（4.8×10-6/K）以及優(yōu)異的機械強度和耐腐蝕性，在半導體、光學、新能源、航空航天等高科技領域發(fā)揮著重要作用。吉致電子對鉬襯底的主要應用場景解析其化學機械拋光（CMP）關鍵技術，幫助行業(yè)客戶更好地選擇和使用鉬襯底拋光液。一、鉬襯底的核心優(yōu)勢高溫穩(wěn)定性：熔點高達2623℃，適用于高溫環(huán)境。優(yōu)異的熱管理能力：高熱導率+低熱膨脹系數，減少熱應力。高機械強度：耐磨損、抗蠕變，適合精密器件制造。良好的導電性：適

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[吉致動態(tài)]吉致電子TSV銅化學機械拋光液：助力3D先進封裝技術突破[ 2025-04-17 15:36 ]

在半導體技術飛速發(fā)展的當下，TSV（Through-Silicon-Via，硅通孔技術）作為前沿的芯片互連技術，正深刻變革著芯片與芯片、晶圓與晶圓之間的連接方式。它通過在芯片及晶圓間構建垂直導通的微孔，并填充銅、鎢等導電材料，實現(xiàn)了三維堆疊封裝中的垂直電氣互連。作為線鍵合（Wire Bonding）、TAB 和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術，TSV 技術憑借縮短的互聯(lián)長度，大幅降低信號延遲與功耗，顯著提升數據傳輸速率和集成密度，已然成為高性能計算、5G 通信、人工智能等前沿領域不可或缺的核心支撐。TSV技術的

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[吉致動態(tài)]藍寶石襯底CMP拋光新視野：氧化鋁與氧化硅的多元應用[ 2025-04-11 15:47 ]

在藍寶石襯底的化學機械拋光（CMP）工藝中，拋光材料的選擇直接關系到拋光效果和生產效率。氧化鋁和氧化硅作為兩種常用的拋光磨料，以其獨特的性能優(yōu)勢，在該領域發(fā)揮著不可替代的作用。吉致電子憑借深厚的行業(yè)積累，為您深入剖析這兩種材料在藍寶石襯底 CMP 拋光中的特性與應用。氧化鋁在拋光中的特性硬度匹配優(yōu)勢α-氧化鋁的硬度與藍寶石極為接近，這一特性在拋光過程中具有關鍵意義。理論上，相近的硬度可能會增加劃傷藍寶石表面的風險，但在實際應用中，只要確保氧化鋁磨料的顆粒形狀規(guī)則、粒徑分布均勻，就能有效避免劃傷。在拋光壓力作用下，憑

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[行業(yè)資訊]芯片拋光液（CMP Slurry）：半導體平坦化的核心驅動力[ 2025-04-08 11:12 ]

在半導體制造的精密世界里，納米級別的表面平整度宛如一把精準的標尺，直接主宰著芯片的性能與良率。化學機械拋光（CMP）工藝宛如一位技藝精湛的大師，借助化學與機械的協(xié)同之力，達成晶圓表面的全局平坦化。而芯片拋光液（CMP Slurry），無疑是這一工藝得以順暢運行的 “血液”，發(fā)揮著無可替代的關鍵作用。吉致電子，作為深耕半導體材料領域的佼佼者，在此為您深度解析拋光液背后的技術奧秘，以及洞察其前沿發(fā)展趨勢。一、芯片拋光液的核心作用在CMP過程中，拋光液肩負著至關重要的雙重功能：化學腐蝕其所含的活性

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[吉致動態(tài)]氧化鋁懸浮液在化學機械拋光（CMP）中的應用與優(yōu)化[ 2025-04-02 14:04 ]

化學機械拋光（CMP）是半導體制造、光學玻璃加工和集成電路生產中的關鍵工藝，而氧化鋁懸浮液因其優(yōu)異的機械磨削性能和化學可控性，成為CMP工藝的核心材料之一。吉致電子（JEEZ Electronics）作為CMP半導體精密電子材料供應商，致力于為客戶提供高性能的氧化鋁CMP懸浮液解決方案。本文將詳細介紹氧化鋁CMP懸浮液的關鍵特性、配方優(yōu)化及行業(yè)應用。1. 氧化鋁CMP懸浮液的核心要求在CMP工藝中，氧化鋁懸浮液（氧化鋁研磨液/拋光液）需滿足以下關鍵指標，以確保高拋光效率、低表面損傷和長期穩(wěn)定性：性能指標要求顆粒粒徑

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[行業(yè)資訊]金剛石研磨液在CMP工藝中的應用與優(yōu)勢[ 2025-04-01 15:37 ]

化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導體、光學玻璃、陶瓷、硬質合金及精密制造行業(yè)的關鍵工藝，用于實現(xiàn)材料表面的超精密平坦化。針對藍寶石、碳化硅（SiC）、硬質合金等高硬度材料的加工需求，傳統(tǒng)研磨液難以滿足高精度、低損傷的要求，因此CMP拋光液、CMP拋光墊是滿足高精度工件平坦化的重要耗材。其中金剛石研磨液憑借其超硬特性和穩(wěn)定可控性，通過精準調控化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應（Chemo-Mechanical Synergy）實現(xiàn)實現(xiàn)亞納米級表面。1. 金剛石CMP研

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[行業(yè)資訊]陶瓷基板CMP工藝：無蠟吸附墊技術解析與應用優(yōu)勢[ 2025-03-28 16:03 ]

在半導體、LED、功率電子等領域，陶瓷基板因其優(yōu)異的導熱性、絕緣性和機械強度被廣泛應用。化學機械拋光（CMP）是陶瓷基板表面精密加工的關鍵工藝，而傳統(tǒng)的蠟粘接固定方式存在污染、效率低、平整度受限等問題。無蠟吸附墊技術作為新一代CMP固定方案，憑借其高精度、環(huán)保性和成本優(yōu)勢，正逐步成為行業(yè)新標準。無蠟吸附墊技術原理無蠟吸附墊通過非接觸式固定技術取代傳統(tǒng)蠟粘接，主要采用以下兩種方式：一、真空吸附技術①采用多孔陶瓷或聚合物材料，通過真空負壓均勻吸附基板②適用于各類硬脆材料（如Al?O?、AlN、SiC等）③可調節(jié)吸附力，

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[吉致動態(tài)]硅片拋光液（Slurry）在半導體制造中的關鍵作用與技術特性[ 2025-03-27 17:06 ]

在半導體制造工藝中，硅片的全局平坦化是確保集成電路性能與可靠性的關鍵步驟。化學機械拋光（CMP, Chemical Mechanical Polishing）技術通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，實現(xiàn)硅片表面的納米級平整，而硅片拋光液（Slurry）作為CMP工藝的核心耗材，其性能直接影響拋光效率與表面質量。吉致電子（Geeze Electronics）作為半導體材料領域的領先供應商，致力于提供高性能硅片拋光液解決方案，助力先進制程的發(fā)展。1. 硅片拋光液的核心組成硅片拋光液是一種精密配制的膠體懸浮液，主要

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[吉致動態(tài)]吉致電子半導體CMP拋光液Slurry解析[ 2025-03-26 16:10 ]

在半導體制造工藝中，化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的核心步驟，而拋光液（Slurry）的性能直接影響芯片的良率和可靠性。隨著制程節(jié)點不斷微縮至5nm、3nm甚至更先進工藝，對CMP拋光液的化學穩(wěn)定性、材料選擇性和缺陷控制提出了更高要求。作為CMP材料解決方案提供商，吉致電子持續(xù)優(yōu)化拋光液技術，助力客戶突破先進制程瓶頸。1. 基本組成與功能CMP拋光液由磨料顆粒、化學添加劑和超純水組成，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用實現(xiàn)晶圓表面納米級平坦化。磨料顆粒：SiO?（二氧化硅）：廣泛用于氧化物拋光，具有高

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[吉致動態(tài)]行業(yè)聚焦：硅片CMP研磨拋光液，如何重塑芯片制造格局[ 2025-03-20 14:17 ]

在半導體制造的前沿領域，Si硅片CMP研磨拋光液占據著舉足輕重的地位，是實現(xiàn)芯片制造精度與性能突破的關鍵要素。拋光液（CMP Slurry）、拋光墊（CMP Pad）作為硅片化學機械拋光（CMP）工藝的核心耗材，為構建微觀世界的精密電路網絡奠定了基石。一、核心構成，協(xié)同增效硅片 CMP 研磨拋光液是一個精心調配的多元體系，每一組分都各司其職，協(xié)同作用，共同塑造卓越的拋光效果。精密磨料，微米級雕琢：體系中搭載了納米級的二氧化硅、氧化鋁或氧化鈰等磨料顆粒。

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[行業(yè)資訊]半導體CMP拋光液Slurry：精密制造的核心材料[ 2025-03-19 10:48 ]

在半導體制造領域，半導體CMP拋光液Slurry是一種不可或缺的關鍵材料，廣泛應用于化學機械拋光CMP工藝中。它通過獨特的機械研磨與化學反應相結合的方式，幫助實現(xiàn)晶圓表面的納米級平坦化，為高性能半導體器件的制造提供了重要保障。什么是半導體CMP拋光液Slurry？半導體Slurry是一種由研磨顆粒、化學添加劑和液體介質組成的精密材料。在CMP工藝中

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[行業(yè)資訊]CMP拋光液：從第一代到第三代半導體材料的精密拋光利器[ 2025-03-14 15:21 ]

隨著半導體技術的飛速發(fā)展，化學機械拋光（CMP）工藝在集成電路制造中的地位愈發(fā)重要。CMP拋光液作為這一工藝的核心材料，不僅廣泛應用于傳統(tǒng)的第一代和第二代半導體材料，如硅（Si）和砷化鎵（GaAs），更在第三代半導體材料的拋光中展現(xiàn)出巨大的潛力。CMP拋光液在第三代半導體材料中的應用第三代半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石和氮化鋁（AlN）為代表，具有寬禁帶、高導熱率、抗輻射能力強、電子飽和漂移速率大等優(yōu)異特性。這些材料在高溫、高頻、大功率電子器件中表現(xiàn)突出，成為5G基站、新能

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[吉致動態(tài)]吉致電子：Oxide拋光液的核心作用與應用解析[ 2025-03-08 10:10 ]

氧化層拋光液（OX slurry）是一種專為半導體制造、金屬加工及精密光學元件等領域設計的高性能化學機械拋光（CMP）材料。其核心作用是通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同效應，精準去除材料表面的氧化層、瑕疵及微觀不平整，從而實現(xiàn)高平整度、低缺陷率的拋光效果。該技術貫穿芯片 “從砂到芯” 的全流程，是集成電路制造中晶圓平坦化工藝的關鍵材料。吉致電子氧化層拋光液的功能與優(yōu)勢如下：一、吉致電子CMP氧化層拋光液的核心功能1.精準表面處理通過化學腐蝕與機械研磨協(xié)同作用，定向去除材料表面氧化層、瑕疵及微觀不

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