一、CMP拋光技術(shù)：半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵工藝

化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是半導(dǎo)體硅片制造的核心工藝之一，直接影響芯片性能與良率。在硅片加工過(guò)程中，CMP通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)原子級(jí)表面平坦化（粗糙度<0.2nm），滿足先進(jìn)制程對(duì)晶圓表面超潔凈、超平整的要求。

吉致電子CMP拋光液的三大核心作用

①高效拋光：納米級(jí)磨料（如膠體SiO₂）精準(zhǔn)去除表面凸起，提升硅片平整度，減少微劃痕。

②潤(rùn)滑保護(hù)：特殊添加劑降低摩擦系數(shù)（<0.05），減少設(shè)備磨損，延長(zhǎng)拋光墊壽命。

③精準(zhǔn)控溫：高導(dǎo)熱流體快速散熱，避免局部過(guò)熱導(dǎo)致的晶格損傷。

二、吉致電子CMP拋光液Slurry：國(guó)產(chǎn)高端替代方案

無(wú)錫吉致電子科技有限公司專注半導(dǎo)體材料研發(fā)，硅片拋光液/硅晶圓拋光液（Si Wafer Slurry）可替代進(jìn)口slurry，適用于8-12英寸硅片及再生晶圓的粗拋、中拋和精拋，助力客戶降低生產(chǎn)成本，提升工藝穩(wěn)定性。

技術(shù)突破點(diǎn)

①高穩(wěn)定性納米磨料：采用表面修飾技術(shù)，Zeta電位>±30mV，確保漿料長(zhǎng)期存儲(chǔ)不沉降。

②智能pH調(diào)控：針對(duì)不同拋光階段（粗拋→精拋）優(yōu)化pH值，減少碟形凹陷（Dishing<5nm）。

③低缺陷率：特殊螯合劑控制金屬雜質(zhì)，缺陷密度<0.1/cm²，適配高精度芯片制造。

三、應(yīng)用場(chǎng)景：助力半導(dǎo)體高質(zhì)量制造

吉致電子半導(dǎo)體CMP拋光液slurry廣泛應(yīng)用于：

①大硅片制造：8-12英寸晶圓的CMP平坦化加工

②再生晶圓：拋光回收硅片，降低生產(chǎn)成本

③先進(jìn)封裝：TSV、3D IC等工藝的表面處理

四、為什么選擇吉致電子硅片拋光液？

①國(guó)產(chǎn)替代：性能對(duì)標(biāo)進(jìn)口品牌，價(jià)格優(yōu)勢(shì)顯著

②定制化服務(wù)：可根據(jù)客戶工藝調(diào)整配方，優(yōu)化拋光效率

③穩(wěn)定供應(yīng)：自主生產(chǎn)線保障交貨周期，減少斷供風(fēng)險(xiǎn)

隨著中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，國(guó)產(chǎn)CMP拋光液的技術(shù)成熟度與市場(chǎng)認(rèn)可度不斷提升。吉致電子憑借高拋光速率、超低缺陷率、長(zhǎng)循環(huán)壽命等優(yōu)勢(shì)，已成為國(guó)內(nèi)晶圓廠和再生硅片企業(yè)的合作伙伴。

• 如有CMP拋光液國(guó)產(chǎn)替代、硅片研磨拋光液、大硅片拋光解決方案、低缺陷拋光液、再生晶圓CMP工藝等需求，可聯(lián)系吉致電子工程師團(tuán)隊(duì)，24小時(shí)為您服務(wù)，助您解決拋光難題！

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