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[行業(yè)資訊]無(wú)蠟吸附墊：精密制造的卓越之選[ 2025-02-02 12:47 ]

無(wú)蠟吸附墊的設(shè)計(jì)充分考慮了不同行業(yè)、不同工藝的實(shí)際需求，具有高度的通用性和靈活性。提高吸附穩(wěn)定性，還能起到良好的排屑作用，防止加工過程中產(chǎn)生的碎屑堆積在吸附墊表面，影響加工精度和吸附效果。以下是吉致電子無(wú)蠟吸附墊的介紹：組合式無(wú)蠟拋光吸附墊結(jié)構(gòu)：包括基布、吸附結(jié)構(gòu)和粘貼結(jié)構(gòu)。吸附結(jié)構(gòu)由聚氨酯吸附層和環(huán)形氣腔組成，聚氨酯吸附層粘貼在基布上，環(huán)形氣腔設(shè)置在聚氨酯吸附層上，起到吸附固定且揭開時(shí)減少吸附力的作用；粘貼結(jié)構(gòu)包括無(wú)殘留雙面膠和離型紙，無(wú)殘留雙面膠粘貼在基布上，離型紙粘貼在無(wú)殘留雙面膠上。優(yōu)點(diǎn)：

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[吉致動(dòng)態(tài)]碳化硅襯底CMP工藝流程[ 2025-01-21 16:52 ]

碳化硅襯底CMP工藝流程如下：準(zhǔn)備工作：對(duì)碳化硅SiC襯底進(jìn)行清洗和預(yù)處理，去除表面的灰塵、油污等雜質(zhì)，保證襯底表面潔凈。同時(shí)，檢查CMP拋光設(shè)備是否正常運(yùn)行，調(diào)整好吉致電子碳化硅專用拋光墊的平整度和壓力等參數(shù)。拋光液涂覆：通過自動(dòng)供液系統(tǒng)，按照一定的流量和頻率進(jìn)行參數(shù)調(diào)整，確保拋光液在拋光過程中始終充足且均勻分布。CMP拋光過程：將SiC襯底固定在拋光機(jī)的承載臺(tái)/無(wú)蠟吸附墊，使其與涵養(yǎng)拋光液的拋光墊接觸。拋光機(jī)帶動(dòng)襯底和拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，在一定的壓力和轉(zhuǎn)速下，拋光液中的磨料對(duì)碳化硅襯底表面進(jìn)行機(jī)械磨削，同時(shí)拋光液

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[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體CMP--碳化硅襯底無(wú)蠟吸附墊的特點(diǎn)[ 2025-01-16 16:42 ]

碳化硅SiC襯底在CMP研磨拋光工藝中使用吉致無(wú)蠟吸附墊的好處主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：①穩(wěn)定性與吸附力真空吸附原理優(yōu)勢(shì)：利用真空吸附，可在吸附墊與襯底間形成強(qiáng)大負(fù)壓，使襯底與吸附墊緊密貼合。如在化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）中，能讓晶圓襯底在高速旋轉(zhuǎn)和研磨壓力下保持原位，避免位移和晃動(dòng)，確保拋光均勻性。②降低破片率：吉致電子半導(dǎo)體無(wú)蠟吸附墊強(qiáng)而穩(wěn)定的吸附力可均勻分散外力，防止局部受力過大。在超薄晶圓或大尺寸晶圓拋光時(shí)，能有效避免因吸附不穩(wěn)導(dǎo)致的晶圓破裂，提高生產(chǎn)效益。③簡(jiǎn)化工藝流程無(wú)需除蠟環(huán)節(jié)：傳統(tǒng)吸附墊常需涂蠟輔助吸附，

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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子--Apple Logo 無(wú)蠟吸附墊[ 2025-01-15 16:46 ]

無(wú)蠟吸附墊蘋果logo研磨拋光墊是一種專為Apple logo研磨拋光設(shè)計(jì)的工具，其無(wú)蠟構(gòu)造確保了高效穩(wěn)定、無(wú)殘留的CMP拋光效果，使用方便降低logo工件損耗率。吉致電子無(wú)蠟吸附墊Template主要特點(diǎn)無(wú)蠟構(gòu)造：采用無(wú)蠟材料，有效降低拋光過程中殘留物的產(chǎn)生，從而提升拋光品質(zhì)。高精度研磨：能夠?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)的研磨和拋光作業(yè)，確保蘋果logo的細(xì)節(jié)和清晰度得到完美呈現(xiàn)。卓越耐磨性：選用高品質(zhì)材料，耐磨性強(qiáng)，顯著延長(zhǎng)了產(chǎn)品的使用壽命。環(huán)保安全：無(wú)蠟設(shè)計(jì)減少了對(duì)環(huán)境和操作人員的潛在影響。logo專用無(wú)蠟吸附墊應(yīng)用范圍logo

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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子---無(wú)蠟吸附墊的特點(diǎn)[ 2024-12-27 18:00 ]

無(wú)蠟墊與吸附墊是在半導(dǎo)體與光學(xué)玻璃領(lǐng)域取代蠟塊粘結(jié)工件的科技產(chǎn)品。有直接吸附型與帶框置具型，搭配吉致CMP納米級(jí)拋光液使用，可提升晶圓、襯底、芯片的拋光效率和良品率。無(wú)蠟吸附墊Template是替代以蠟將工件黏附在置具上的模式，內(nèi)層採(cǎi)用了拋光微孔材料其吸附性能表現(xiàn)為真空狀態(tài)吸附住被拋光工件，良好的壓縮率和回彈性分別適合中高壓研磨制程。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓/芯片/藍(lán)寶石襯底TFT/STN/素玻璃/石英光罩/光學(xué)玻璃等領(lǐng)域的CMP單面拋光。吉致電子無(wú)蠟吸附墊的優(yōu)點(diǎn)在于加工過程中

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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子--半導(dǎo)體CMP無(wú)蠟吸附墊[ 2024-11-19 16:36 ]

吉致電子無(wú)蠟吸附墊具有獨(dú)特的孔隙結(jié)構(gòu)，其吸附性能表現(xiàn)為真空狀態(tài)吸附住被拋光物件，其復(fù)合結(jié)構(gòu)與感壓膠設(shè)計(jì)在高的壓縮率及壓縮回彈率，分別適合CMP中高壓研磨制程，提供了優(yōu)異平坦化、不易沾黏、易清潔、下片容易、耐酸堿、高壽命等特性。此外，無(wú)蠟吸附墊、芯片吸附墊、硅片吸附墊的孔隙結(jié)構(gòu)還賦予其出色的透氣性和滲透性，確保了拋光過程中熱量的有效散發(fā)，避免工件因過熱而受損。感壓膠的靈活設(shè)計(jì)不僅提升了產(chǎn)品的適應(yīng)性，使其能在各種復(fù)雜表面實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定吸附

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[吉致動(dòng)態(tài)]碳化硅襯底需要CMP嗎[ 2024-01-30 17:17 ]

碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學(xué)機(jī)械研磨平面步驟---簡(jiǎn)稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長(zhǎng)的襯底表面，同時(shí)使晶圓表面平坦化達(dá)到理想的粗糙度。化學(xué)機(jī)械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來(lái)實(shí)現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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