SiC CMP拋光液是一種用于對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的關(guān)鍵材料，通過(guò)拋光液化學(xué)腐蝕和拋光墊機(jī)械磨損的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量，達(dá)到超光滑、無(wú)缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應(yīng)用等對(duì)襯底表面質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：

①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對(duì)碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時(shí)調(diào)整化學(xué)試劑的種類和濃度，增強(qiáng)化學(xué)腐蝕作用。

②表面損傷控制：在拋光過(guò)程中，容易因機(jī)械應(yīng)力和化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生表面損傷，如微裂紋、晶格畸變等。通過(guò)精確控制拋光工藝參數(shù)，如壓力、轉(zhuǎn)速、拋光時(shí)間等，以及選擇合適的拋光墊（CMP PAD）材料和拋光液（CMP Slurry），來(lái)減少表面損傷。例如，采用柔軟且具有良好彈性的無(wú)紡布拋光墊/阻尼布拋光墊，Suba拋光墊等，降低機(jī)械應(yīng)力，同時(shí)添加一些具有緩沖和修復(fù)作用的添加劑。

③拋光均勻性：保證整個(gè)襯底表面的拋光均勻性是一個(gè)難題。優(yōu)化拋光設(shè)備的結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)方式，以及改進(jìn)碳化硅拋光液的涂覆方式和分布均勻性。例如，采用多點(diǎn)供液系統(tǒng)，使拋光液能更均勻地覆蓋在拋光墊上，同時(shí)通過(guò)調(diào)整拋光墊的材質(zhì)和表面結(jié)構(gòu)，改善其與襯底的接觸均勻性。

  吉致電子的CMP碳化硅拋光液生產(chǎn)技術(shù)是引進(jìn)國(guó)外生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備，特殊化學(xué)配方制備而成。吉致電子拋光液品質(zhì)可以媲美進(jìn)口同類產(chǎn)品。本土化生產(chǎn)的優(yōu)勢(shì)使吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品交貨周期快，品質(zhì)好，拋光液價(jià)格實(shí)惠親民

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