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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[常見問題]影響碳化硅襯底質(zhì)量的重要工藝參數(shù)有哪些[ 2025-01-31 17:33 ]
碳化硅襯底提高加工速率和良品率的主要因素除了用對(duì)拋光液和拋光墊，在CMP拋光研磨過程的工藝參數(shù)也很重要：拋光壓力：適當(dāng)增加壓力可以提高拋光效率，但過高的壓力可能導(dǎo)致襯底表面產(chǎn)生劃痕、損傷甚至破裂。一般根據(jù)襯底的厚度、硬度以及拋光設(shè)備的性能，壓力范圍在幾十千帕到幾百千帕之間。拋光轉(zhuǎn)速：包括襯底承載臺(tái)的轉(zhuǎn)速和拋光墊的轉(zhuǎn)速。轉(zhuǎn)速影響拋光液在襯底和拋光墊之間的流動(dòng)狀態(tài)以及磨料的磨削作用。較高的轉(zhuǎn)速可以加快拋光速度，但也可能使拋光液分布不均勻，導(dǎo)致表面質(zhì)量下降。轉(zhuǎn)速通常在每分鐘幾十轉(zhuǎn)到幾百轉(zhuǎn)之間調(diào)整。拋光時(shí)間：由襯底需要去除
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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案[ 2025-01-23 17:18 ]
SiC CMP拋光液是一種用于對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的關(guān)鍵材料，通過化學(xué)腐蝕和機(jī)械磨損的協(xié)同作用，實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量，達(dá)到超光滑、無(wú)缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應(yīng)用等對(duì)襯底表面質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對(duì)碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時(shí)調(diào)整化學(xué)試劑的種類和濃度，增強(qiáng)
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[吉致動(dòng)態(tài)]碳化硅襯底CMP工藝流程[ 2025-01-21 16:52 ]
碳化硅襯底CMP工藝流程如下：準(zhǔn)備工作：對(duì)碳化硅SiC襯底進(jìn)行清洗和預(yù)處理，去除表面的灰塵、油污等雜質(zhì)，保證襯底表面潔凈。同時(shí)，檢查CMP拋光設(shè)備是否正常運(yùn)行，調(diào)整好吉致電子碳化硅專用拋光墊的平整度和壓力等參數(shù)。拋光液涂覆：通過自動(dòng)供液系統(tǒng)，按照一定的流量和頻率進(jìn)行參數(shù)調(diào)整，確保拋光液在拋光過程中始終充足且均勻分布。CMP拋光過程：將SiC襯底固定在拋光機(jī)的承載臺(tái)/無(wú)蠟吸附墊，使其與涵養(yǎng)拋光液的拋光墊接觸。拋光機(jī)帶動(dòng)襯底和拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，在一定的壓力和轉(zhuǎn)速下，拋光液中的磨料對(duì)碳化硅襯底表面進(jìn)行機(jī)械磨削，同時(shí)拋光液
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子--Apple Logo 無(wú)蠟吸附墊[ 2025-01-15 16:46 ]
無(wú)蠟吸附墊蘋果logo研磨拋光墊是一種專為Apple logo研磨拋光設(shè)計(jì)的工具，其無(wú)蠟構(gòu)造確保了高效穩(wěn)定、無(wú)殘留的CMP拋光效果，使用方便降低logo工件損耗率。吉致電子無(wú)蠟吸附墊Template主要特點(diǎn)無(wú)蠟構(gòu)造：采用無(wú)蠟材料，有效降低拋光過程中殘留物的產(chǎn)生，從而提升拋光品質(zhì)。高精度研磨：能夠?qū)崿F(xiàn)精準(zhǔn)的研磨和拋光作業(yè)，確保蘋果logo的細(xì)節(jié)和清晰度得到完美呈現(xiàn)。卓越耐磨性：選用高品質(zhì)材料，耐磨性強(qiáng)，顯著延長(zhǎng)了產(chǎn)品的使用壽命。環(huán)保安全：無(wú)蠟設(shè)計(jì)減少了對(duì)環(huán)境和操作人員的潛在影響。logo專用無(wú)蠟吸附墊應(yīng)用范圍logo
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[常見問題]CMP拋光墊在化學(xué)機(jī)械平面研磨中的作用和效果[ 2025-01-11 10:25 ]
CMP拋光墊在化學(xué)機(jī)械平面研磨中的作用和效果通過調(diào)整拋光墊的密度和硬度，可以根據(jù)目標(biāo)值（如鏡面光潔度、精度等）進(jìn)行優(yōu)化，確保工件表面達(dá)到鏡面光潔度，同時(shí)與研磨相比，損傷降至最低。在CMP過程中，拋光墊主要發(fā)揮以下作用：1. 均勻施加壓力：由于拋光墊通常由柔性材料制成，并具有一定的彈性，它能夠在壓力施加時(shí)均勻變形，確保材料的去除速率在整個(gè)晶圓表面上保持一致，避免局部去除過度或不足。2. 散熱：CMP過程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量，拋光墊通常由具有良好導(dǎo)熱性能的材料制成，例如聚氨酯等，能夠快速傳導(dǎo)熱量，防止局部過熱，從而保護(hù)晶圓
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[常見問題]半導(dǎo)體晶圓拋光墊的類型有哪些[ 2025-01-10 14:59 ]
一、CMP拋光墊概述CMP拋光墊是半導(dǎo)體晶圓制造中不可或缺的工具之一，主要用于半導(dǎo)體晶圓的拋光和平整處理。這些拋光墊CMP Pad采用優(yōu)質(zhì)材料制作，展現(xiàn)出卓越的耐磨性和平坦度，確保晶圓在拋光過程中得到妥善保護(hù)，不受損害。根據(jù)不同的材質(zhì)和硬度需求，拋光墊可分為多種類型。二、各種自粘式CMP拋光墊的種類和特點(diǎn)1. 聚氨酯(PU)拋光墊聚氨酯(PU)拋光墊是拋光墊中的一種常見類型，其硬度較低，展現(xiàn)出良好的柔軟性和彈性，特別適用于需要柔軟拋光墊的場(chǎng)合。它的拋光效果出色，使用壽命較長(zhǎng)，但價(jià)格相對(duì)較高。2. 聚酯(PET)拋光
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[行業(yè)資訊]吉致電子SiC碳化硅研磨墊國(guó)產(chǎn)替代[ 2024-12-31 14:03 ]
  在碳化硅拋光墊/研磨墊（SiC CMP Pad）市場(chǎng)中，高端領(lǐng)域呈現(xiàn)出寡頭壟斷的格局。其中，杜邦Suba800系列產(chǎn)品被廣泛采用，同時(shí)也有部分客戶選擇杜邦的Suba600和Suba400系列，以及Supreme Series和Politex系列等產(chǎn)品。此外，日本廠商Fujibo也在市場(chǎng)中扮演著關(guān)鍵角色，其主打產(chǎn)品包括G804W、728NX和FPK66等型號(hào)。  在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體集成電路市場(chǎng)中，除了上述提到的幾款CMP拋光墊產(chǎn)品外，國(guó)內(nèi)一些新興企業(yè)也在不斷研發(fā)創(chuàng)新，試圖打破現(xiàn)有的市場(chǎng)格局，為
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子CMP Pad化學(xué)機(jī)械拋光墊[ 2024-12-27 18:27 ]
吉致電子專注研發(fā)、設(shè)計(jì)、測(cè)試與生產(chǎn)制造CMP耗材，CMP PAD化學(xué)機(jī)械拋光墊用于半導(dǎo)體制造、平面顯示器、光學(xué)玻璃、各類晶圓襯底材料、高精密陶瓷件、金屬與硬盤基板的研磨拋光工藝。吉致電子CMP拋光墊采用精密涂布技術(shù)和科技材料能有效提升客戶制程中的移除率和高平坦度、低缺陷等要求。吉致拋光墊團(tuán)隊(duì)從事高分子材料合成、發(fā)泡技術(shù)與復(fù)合材料研制已有多年經(jīng)驗(yàn)，積累深厚的材料制造和研發(fā)基礎(chǔ).拋光墊產(chǎn)品因其特殊纖維材質(zhì)，耐用、耐磨、耐酸堿，價(jià)比高。PAD產(chǎn)品包括且不限于：聚氨酯拋光墊、阻尼布精拋墊、復(fù)合拋光墊、絨面拋光墊、無(wú)紡布拋光
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[吉致資訊]吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些[ 2024-12-17 15:37 ]
吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些？化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)是目前國(guó)際上公認(rèn)的唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化的技術(shù)，在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。CMP精拋墊，作為CMP化學(xué)機(jī)械平面研磨（Chemical Mechanical Polishing）精拋階段所使用的拋光墊，是半導(dǎo)體制造過程中不可或缺的關(guān)鍵耗材。吉致電子CMP拋光墊--精拋墊的功能特點(diǎn)將通過以下四個(gè)方面進(jìn)行闡述：  CMP精拋墊在CMP工藝流程中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，其主要功能涵蓋：1.確保拋光液能夠高效且均勻
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子CMP拋光液在光學(xué)玻璃加工中的應(yīng)用進(jìn)展[ 2024-12-11 16:17 ]
  CMP拋光液在光學(xué)玻璃領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在實(shí)現(xiàn)光學(xué)玻璃表面的超精密加工，以滿足對(duì)表面粗糙度和平坦度的高要求。CMP拋光液通過化學(xué)作用和機(jī)械研磨的有機(jī)結(jié)合，能夠有效地去除光學(xué)玻璃表面的材料，達(dá)到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的效果。隨著光學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)光學(xué)玻璃表面質(zhì)量的要求也越來(lái)越高。CMP拋光液/研磨液作為一種先進(jìn)的拋光材料，在光學(xué)玻璃領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。   在CMP拋光過程中，拋光液中的化學(xué)成分與光學(xué)玻璃表面發(fā)生反應(yīng)形成軟質(zhì)層。同時(shí)，拋光液中的磨料微粒，如納米二氧化硅
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[吉致動(dòng)態(tài)]半導(dǎo)體拋光墊---吉致電子Suba pad替代[ 2024-12-10 15:14 ]
 在半導(dǎo)體硅片、襯底、光學(xué)玻璃以及精密陶瓷等材料的加工領(lǐng)域，CMP拋光工藝是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，而CMP拋光墊（CMP Pad）則是這一環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵因素之一。其中，由陶氏公司（Dow）生產(chǎn)的SUBA拋光墊（Suba Pad）備受矚目。   陶氏公司生產(chǎn)的SUBA拋光墊在CMP化學(xué)機(jī)械研磨方面有著優(yōu)異的拋光性能，尤其在拋光半導(dǎo)體晶圓方面效果顯著。半導(dǎo)體晶圓和襯底是現(xiàn)代集成電路產(chǎn)業(yè)的基石，晶圓和襯底表面的平坦度、光潔度等直接影響芯片的性能和質(zhì)量。SUBA拋光墊憑借其獨(dú)特的材料和結(jié)構(gòu)，能夠使拋光過程達(dá)到一
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子--磷化銦拋光液在半導(dǎo)體CMP制程中的應(yīng)用[ 2024-12-05 16:20 ]
無(wú)錫吉致電子科技提供的磷化銦襯底拋光液是一種專門用于半導(dǎo)體材料磷化銦表面處理的CMP化學(xué)機(jī)械拋光漿料。它包含特定的磨料和化學(xué)成分，能夠有效去除磷化銦表面的微小缺陷和不平整，確保獲得光滑、無(wú)損傷的表面。磷化銦拋光液在半導(dǎo)體制造過程中非常重要，它直接影響到最終器件的性能和穩(wěn)定性。磷化銦襯底拋光液的選擇和使用是一個(gè)復(fù)雜的過程，需要綜合考慮多個(gè)因素，且在CMP拋磨使用時(shí)，需要根據(jù)磷化銦襯底的具體要求和拋光設(shè)備的特性來(lái)選擇合適的InP拋光液，并嚴(yán)格控制拋光過程中的參數(shù)，如溫度、壓力和拋光時(shí)間等。首先，磷化銦CMP拋光液的成分
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[行業(yè)資訊]吉致電子CMP拋光墊：從粗到精，體驗(yàn)高效拋光[ 2024-11-29 14:35 ]
  CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光墊是一種在半導(dǎo)體制造過程中用于平面化晶圓表面的關(guān)鍵材料。CMP拋光墊通過結(jié)合化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨的方式，能夠有效地去除晶圓表面的多余材料，從而達(dá)到高度平整的表面質(zhì)量。拋光墊CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔結(jié)構(gòu)，以便在拋光過程中儲(chǔ)存和釋放拋光液CMP Slurry，從而確保拋光過程的均勻性和效率。  CMP拋光墊在使用過程中需要定期更換，以保持其最佳的拋光性能。不同的CMP拋光墊適用于不同的拋光工藝和材料，因此選擇合適的拋光墊對(duì)于確保晶圓質(zhì)量
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[行業(yè)資訊]解鎖高效，硬質(zhì)合金CMP拋光液來(lái)襲[ 2024-10-30 16:46 ]
   硬質(zhì)合金是由難熔金屬的硬質(zhì)化合物和粘結(jié)金屬通過粉末冶金工藝制成的一種合金材料。它具有硬度高、耐磨、強(qiáng)度和韌性較好、耐熱、耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，被譽(yù)為“工業(yè)牙齒”，廣泛用于切削工具、刀具、鈷具和耐磨零部件，在軍工、航天航空、機(jī)械加工、冶金、石油鉆井、礦山工具、電子通訊、建筑等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。常用硬質(zhì)合金按成分和性能特點(diǎn)分為三類:鎢鈷類、鎢鈦鈷類、鎢鈦鉭(鈮)類，每種都有其適用的領(lǐng)域和優(yōu)勢(shì)。硬質(zhì)合金平面件，如鎢鋼、鎢合金材質(zhì)等使用CMP拋光液和CMP研磨工藝能達(dá)到
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[行業(yè)資訊]吉致電子---磷化銦InP晶圓拋光液的市場(chǎng)現(xiàn)狀[ 2024-10-25 11:44 ]
  目前，全球磷化銦（InP）晶圓市場(chǎng)的cmp拋光耗材主要由少數(shù)國(guó)外廠商主導(dǎo)。這些國(guó)外廠商憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的經(jīng)驗(yàn)，在產(chǎn)品質(zhì)量和性能方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企業(yè)在全球半導(dǎo)體slurry拋光液市場(chǎng)中具有較高的知名度和占有率。  相比之下，國(guó)內(nèi)企業(yè)的磷化銦（InP）晶圓拋光液研發(fā)起步較晚，但近年來(lái)隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的快速發(fā)展，國(guó)產(chǎn)cmp拋光耗材也大量進(jìn)入市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)廠家也在不斷加大研發(fā)投入，努力提升拋光液、拋光墊產(chǎn)品
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[行業(yè)資訊]杜邦I(lǐng)C1000拋光墊的特點(diǎn)及國(guó)產(chǎn)替代[ 2024-10-23 14:50 ]
  在半導(dǎo)體晶圓及芯片的制造過程中，CMP是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝，而IC1000作為一種高性能的拋光墊，為 CMP工藝的順利進(jìn)行提供了有力保障。  杜邦I(lǐng)C1000系列拋光墊能夠存儲(chǔ)和輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域，通過slurry的流動(dòng)和分布使拋光工作持續(xù)均勻地進(jìn)行。在化學(xué)機(jī)械拋光過程中，拋光液中的化學(xué)成分與晶圓表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成較易去除的物質(zhì)，而dupont IC1000 Pad為這一化學(xué)反應(yīng)提供了穩(wěn)定的場(chǎng)所。同時(shí)，IC1000拋光墊能夠去除拋光過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品，如氧化產(chǎn)物
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[吉致動(dòng)態(tài)]Suba800拋光墊國(guó)產(chǎn)替代一樣香[ 2024-10-15 16:47 ]
  Suba800是一款在半導(dǎo)體及集成電路相關(guān)領(lǐng)域被廣泛使用的cmp拋光墊。其作為化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝的知名耗材，產(chǎn)品特性顯著且穩(wěn)定性高，適用于半導(dǎo)體硅片、晶圓、精密陶瓷、藍(lán)寶石襯底等工件的表面平坦化。  Suba800拋光墊還適用于光學(xué)和金屬材料的拋光。在光學(xué)材料的拋光中，Suba800能提供高透明度、低粗糙度的表面，提高光學(xué)性能。在金屬工件拋光中，Suba800能夠有效去除金屬表面的氧化膜和劃痕，使其表面更加光滑、亮麗。  無(wú)錫吉致電子科技有限公司生產(chǎn)的 Suba800國(guó)產(chǎn)替代產(chǎn)品
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[行業(yè)資訊]納米拋光液---吉致電子氧化硅slurry的應(yīng)用及特點(diǎn)[ 2024-10-10 16:56 ]
  吉致電子納米級(jí)氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型CMP拋光產(chǎn)品。粒度均一的SiO2磨料顆粒在CMP研磨過程中分散均勻，能達(dá)到快速拋光的目的且不會(huì)對(duì)加工件造成物理?yè)p傷。納米級(jí)硅溶膠拋光液不易腐蝕設(shè)備，提高了使用的安全性。制備工藝和配方有效提高了平坦化加工速率，快速降低表面粗糙度，且工件表面劃傷少。  吉致電子氧化硅slurry粒徑分布可控，根據(jù)不同的拋光需求，生產(chǎn)出不同粒徑大小的納米氧化硅拋光液，粒徑范圍通常在 5-100nm 之間。以氧化硅為磨料的納米拋
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用[ 2024-10-03 12:06 ]
吉致電子鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導(dǎo)體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關(guān)鍵材料。通過CMP化學(xué)機(jī)械拋光，能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度，為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如，在集成電路的生產(chǎn)中，鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì)，達(dá)到表面平坦化效果，確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學(xué)表面提供高光潔度拋光，因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能，在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學(xué)元件，表面粗糙度極低
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[吉致動(dòng)態(tài)]歡度十一國(guó)慶：吉致電子與您共同慶祝祖國(guó)生日，共創(chuàng)美好未來(lái)[ 2024-10-01 00:00 ]
親愛的吉致電子同仁、客戶、合作伙伴： 2024年10月1日，中華人民共和國(guó)迎來(lái)75周年華誕，情牽華夏心連心，值此普天同慶的時(shí)刻，我們想借此機(jī)會(huì)表達(dá)對(duì)祖國(guó)、對(duì)奮斗拼搏的各位之深深熱愛和祝福，愿我們的祖國(guó)更上一層樓！ 吉致電子作為一家富有濃厚愛國(guó)情懷且正在蓬勃發(fā)展的電子科技企業(yè)，我們深知自己的使命與愿景：致力于研發(fā)生產(chǎn)卓越的集成電路精密拋光產(chǎn)品，為國(guó)家半導(dǎo)體行業(yè)貢獻(xiàn)一份力。吉致電子們與祖國(guó)同呼吸、共命運(yùn)，有了祖國(guó)的支持我們的cmp拋光研磨產(chǎn)品才能不斷地推陳出新，吉致電子將始終堅(jiān)守初心，全力以赴為客戶
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