吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

Suba800拋光墊國產(chǎn)替代一樣香

  Suba800是一款在半導體及集成電路相關(guān)領(lǐng)域被廣泛使用的cmp拋光墊。其作為化學機械平面研磨工藝的知名耗材，產(chǎn)品特性顯著且穩(wěn)定性高，適用于半導體硅片、晶圓、精密陶瓷、藍寶石襯底等工件的表面平坦化。  Suba800拋光墊還適用于光學和金屬材料的拋光。在光學材料的拋光中，Suba800能提供高透明度、低粗糙度的表面，提高光學性能。在金屬工件拋光中，Suba800能夠有效去除金屬表面的氧化膜和劃痕，使其表面更加光滑、亮麗。  無錫吉致電子科技有限公司生產(chǎn)的 Suba800國產(chǎn)替代產(chǎn)品

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吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用

吉致電子鈮酸鋰晶體化學機械拋光液在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關(guān)鍵材料。通過CMP化學機械拋光，能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度，為后續(xù)的半導體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如，在集成電路的生產(chǎn)中，鈮酸鋰晶體化學機械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì)，達到表面平坦化效果，確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學表面提供高光潔度拋光，因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能，在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學元件，表面粗糙度極低

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歡度十一國慶：吉致電子與您共同慶祝祖國生日，共創(chuàng)美好未來

親愛的吉致電子同仁、客戶、合作伙伴： 2024年10月1日，中華人民共和國迎來75周年華誕，情牽華夏心連心，值此普天同慶的時刻，我們想借此機會表達對祖國、對奮斗拼搏的各位之深深熱愛和祝福，愿我們的祖國更上一層樓！ 吉致電子作為一家富有濃厚愛國情懷且正在蓬勃發(fā)展的電子科技企業(yè)，我們深知自己的使命與愿景：致力于研發(fā)生產(chǎn)卓越的集成電路精密拋光產(chǎn)品，為國家半導體行業(yè)貢獻一份力。吉致電子們與祖國同呼吸、共命運，有了祖國的支持我們的cmp拋光研磨產(chǎn)品才能不斷地推陳出新，吉致電子將始終堅守初心，全力以赴為客戶

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吉致電子：CMP鉬金屬研磨液，點亮鉬材非凡光彩

  無錫吉致電子科技有限公司是CMP研磨液、拋光墊及CMP拋光耗材研發(fā)生產(chǎn)廠家，至今已有 20 余年的研發(fā)經(jīng)驗。  吉致電子CMP產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金屬、光電、集成電路半導體、陶瓷、硬盤面板顯示器等材質(zhì)的表面深度處理，目前已發(fā)展為集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的現(xiàn)代工業(yè)科技廠家。目前我司生產(chǎn)的鉬金屬研磨液適用于平面形態(tài)的鉬、鉬合金工件的鏡面拋光，通過  化學機械平面研磨工藝，使鉬金屬表面快速去粗和平坦化，過程簡單來說就是利用拋光設(shè)備將鉬金屬拋光液化學氧化腐蝕鉬合金表面，再通過拋光墊外力研磨去除氧

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吉致藍寶石研磨液--高效研磨與拋光的理想選擇

藍寶石研磨液:高效研磨與拋光的理想選擇藍寶石研磨液，作為一種在精密加工領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用的研磨材料，主要用于藍寶石襯底的研磨和減薄，以實現(xiàn)其表面的高精度和高質(zhì)量處理。一，組成成分藍寶石研磨液主要由以下幾部分組成:1.優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉:這是研磨液的核心磨料，具有極高的硬度和耐磨性，能夠有效地去除藍寶石表面的材料，實現(xiàn)高效研磨。聚晶金剛石的獨特結(jié)構(gòu)使其在研磨過程中能夠保持良好的切削性能，同時減少對工件表面的劃傷2.復合分散劑:其作用是確保聚晶金剛石微粉能夠均勻地分散在研磨液中，避免顆粒團聚,從而保證研磨液的穩(wěn)定性和

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吉致電子陶瓷覆銅板研磨液

陶瓷覆銅板 CMP 拋光液的定義，為半導體行業(yè)電子封裝使用的研磨液及拋光液，適用于陶瓷覆銅板粗拋及精拋。提高陶瓷工件表面去除率和平坦化性能，提供鏡面效果，解決電鍍銅層厚度及均勻性、表面粗糙度等拋光難題。吉致電子陶瓷覆銅板研磨液具有懸浮性好不易沉淀，顆粒分散均勻不團聚，軟硬度適中避免劃傷，拋磨過程中提高拋光速度和質(zhì)量，分散性好降低微劃傷概率提高精度，無粉塵產(chǎn)生環(huán)保安全，可定制化滿足不同需求。吉致電子CMP研磨液的分類與成分：根據(jù)拋光對象分為不同類別，成分包括研磨顆粒、PH 值調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑以及表面活性劑，各成

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吉致電子--共慶2024花好月圓中秋節(jié)

  海上生明月，天涯共此時！2024中秋佳節(jié)將近，月到中秋分外明，佳節(jié)喜氣伴你行。人逢喜事精神爽，人月兩圓事業(yè)成。心寬氣順身體棒，合家幸福享天倫。  無論您在天涯海角，無錫吉致電子科技有限公司全體成員都深深祝褔您，----中秋團圓，幸福美滿，佳節(jié)快樂!無錫吉致電子科技有限公司http://m.simplybyfaithhousing.com/聯(lián)系電話：17706168670郵編：214000?地址：江蘇省無錫市新吳區(qū)新榮路6號

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吉致電子藍寶石拋光液雙面研磨與單面精磨

  藍寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產(chǎn)生的線痕、裂紋和殘余應(yīng)力等表面、亞表面損傷層，提升藍寶石晶片的表面質(zhì)量，從而達到 LED 芯片制備的表面質(zhì)量要求。CMP化學機械研磨工藝是解決藍寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一，那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的，研磨拋光耗材該怎么選？  藍寶石襯底雙面研磨可實現(xiàn)上、下兩個平面的實時同步加工，有效減小兩個平面之間因加工引起的應(yīng)力應(yīng)變差，具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層，而化學機

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吉致電子主要業(yè)務(wù)及CMP產(chǎn)品有哪些

吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務(wù)及服務(wù)行業(yè)有：半導體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產(chǎn)品包括：拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產(chǎn)品質(zhì)量嚴格管控，多年研發(fā)經(jīng)驗技術(shù)，已為數(shù)家百強企業(yè)提供拋光解決方案并長期合作。吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品主要包括以下系列：半導體集成電路：Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /

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鈮酸鋰晶體怎么拋光？

 鈮酸鋰晶體拋光，用吉致電子CMP鈮酸鋰拋光液是有效方法 鈮酸鋰晶體(分子式 LiNbO3簡稱 LN)是一種具有鐵電、壓電、熱電、電光、聲電和光折變效應(yīng)等多種性質(zhì)的功能材料，是目前公認為光電子時代"光學硅"的主要候選材料之一。它在超聲器件、光開關(guān)、光通訊調(diào)制器、二次諧波發(fā)生和光參量振蕩器等方面獲得廣泛應(yīng)用。  鈮酸鋰晶片的加工質(zhì)量和精度直接影響其器件的性能，因此鈮酸鋰的應(yīng)用要求晶片表面超光滑、無缺陷、無變質(zhì)層。目前,有關(guān)鈮酸鋰晶片的加工特性及其超光滑表面加工技術(shù)的研

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研磨液和拋光液在半導體芯片加工中的應(yīng)用

  磨削和研磨等磨料處理是半導體芯片加工過程中的一項重要工藝，主要是應(yīng)用化學研磨液混配磨料的方式對半導體表面進行精密加工，但是研磨會導致芯片表面的完整性變差。因此，保證拋光的一致性、均勻性和外表粗糙度對生產(chǎn)芯片來 說是十分重要的。拋光和研磨在半導體生產(chǎn)中都起到重要性的作用。一、研磨工藝與拋光工藝研磨工藝是運用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒，經(jīng)過研具與工件在一定壓力下的相對運動對加工件表面進行的精整加工。研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料，工件的外形有平面，內(nèi)、外圓柱面和圓錐面，凸、凹球面，螺紋，齒面及其他型

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藍寶石研磨液在CMP襯底工件的應(yīng)用

  藍寶石研磨液(又稱為藍寶石拋光液)是用于在藍寶石襯底的減薄和研磨拋光。  藍寶石研磨液由金剛石微粉、復合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件表面產(chǎn)生劃傷。金剛石研磨液可以應(yīng)用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學晶體、硬質(zhì)玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研磨和拋光。  吉致電子藍寶石研磨液在藍寶石襯底方面的應(yīng)用:1.外延片生產(chǎn)前襯底的雙面研磨:用于藍寶石研磨一道或多道工序，根據(jù)最終藍寶石襯底研磨要求用6um、3

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碳化硅襯底需要CMP嗎

  碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學機械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。  化學機械拋光步驟一般使用化學研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝

 碳化硅拋光工藝的實質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。 根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標準如圖所示。  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機械拋光的關(guān)鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報道較少，相關(guān)工藝

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國際第三代半導體年度盛會--吉致電子半導體拋光耗材受關(guān)注

  吉致電子受邀出席第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA），斬獲大會頒發(fā)的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導體和半導體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢品牌所創(chuàng)立，獲得該獎項是對吉致電子在半導體照明產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域出色表現(xiàn)的高度認可。  后摩爾時代，發(fā)展正當時的第三代半導體產(chǎn)業(yè)迎來發(fā)展機遇。半導體業(yè)繼往開來進入新的發(fā)展階段，論壇期間氛圍熱烈，學術(shù)報告、行業(yè)

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圣誕儀式感拉滿，吉致電子祝您幸福平安！

吉致電子科技“拍了拍你”！嗨，親愛的吉致伙伴們：May you have the best Christmas ever愿你度過最美好的圣誕節(jié)！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣誕快樂。祝大家：平安喜樂，萬事順遂。“誕”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永遠開心快樂，希望快樂不止圣誕！

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吉致電子應(yīng)邀出席半導體國際論壇并斬獲獎牌

  2023年11月28日第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門開幕。IFWS&SSLCHINA是中國地區(qū)舉辦的、專業(yè)性最強、影響力最大的第三代半導體領(lǐng)域國際性年度盛會，也是規(guī)模最大、規(guī)格最高的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈綜合性論壇。  吉致電子受邀出席大會，斬獲大會頒發(fā)的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導體和半導體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢品牌所創(chuàng)立，

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金屬鉬片的CMP拋光工藝

  工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產(chǎn)品合格率下降，也造成后續(xù)加工難度，這與金屬鉬的特性有關(guān)，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達到鏡面效果。  鉬的特點：鉬是一種難溶金屬，具有很多優(yōu)良的物力化學和機械性能。由于原子間結(jié)合力極強，所以在常溫和高溫下強度均非常高。它的膨脹系數(shù)低，導電率大，導熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應(yīng)，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對大多數(shù)液態(tài)金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當穩(wěn)定。&

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吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光

氮化鋁陶瓷基板具有高導熱率、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高機械強度、高耐腐蝕性等特點。其作為電路元件及互連線承載體，廣泛應(yīng)用再軍事和空間技術(shù)通訊、計算機、儀器儀表、半導體電子設(shè)備、汽車等各個領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷經(jīng)過CMP拋光后可用于半導體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達鏡面效果，特點如下：1、納米級拋光液，拋光后具有較優(yōu)的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環(huán)使用，根據(jù)工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過CMP

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吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用

   拋光液是CMP的關(guān)鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發(fā)生化學反應(yīng)，生成薄且剪切強度很低的化學反應(yīng)膜，反應(yīng)膜（軟質(zhì)層）在磨粒的機械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續(xù)生成新的反應(yīng)膜，CMP工藝周而復始的進行磨拋，達到表面平坦效果。  通過研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對SiC晶片進行機械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應(yīng)力層和機械損傷層。為進一步提高碳化硅晶圓表面質(zhì)量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC

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