吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

吉致電子---碲鋅鎘襯底用什么拋光液？

  碲鋅鎘晶體是一種具有優(yōu)異光電性能的半導(dǎo)體材料，其化學(xué)式為CdZnTe，也被稱為CZT。這種材料在核輻射探測器、X射線和伽馬射線探測器以及紅外探測器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。由于其高電阻率、高原子序數(shù)和良好的能量分辨率，碲鋅鎘晶體特別適合用于高分辨率的放射線成像設(shè)備。此外，它還具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械加工性能，使其在制造過程中易于加工成各種形狀和尺寸。那么碲鋅鎘襯底用什么拋光液進(jìn)行CMP加工呢？   碲鋅鎘CMP研磨拋光一般采用化學(xué)機(jī)械拋光（Chemical Mechanical Pl

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吉致電子--磷化銦拋光液在半導(dǎo)體CMP制程中的應(yīng)用

無錫吉致電子科技提供的磷化銦襯底拋光液是一種專門用于半導(dǎo)體材料磷化銦表面處理的CMP化學(xué)機(jī)械拋光漿料。它包含特定的磨料和化學(xué)成分，能夠有效去除磷化銦表面的微小缺陷和不平整，確保獲得光滑、無損傷的表面。磷化銦拋光液在半導(dǎo)體制造過程中非常重要，它直接影響到最終器件的性能和穩(wěn)定性。磷化銦襯底拋光液的選擇和使用是一個(gè)復(fù)雜的過程，需要綜合考慮多個(gè)因素，且在CMP拋磨使用時(shí)，需要根據(jù)磷化銦襯底的具體要求和拋光設(shè)備的特性來選擇合適的InP拋光液，并嚴(yán)格控制拋光過程中的參數(shù)，如溫度、壓力和拋光時(shí)間等。首先，磷化銦CMP拋光液的成分

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吉致電子CMP拋光墊：從粗到精，體驗(yàn)高效拋光

  CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光墊是一種在半導(dǎo)體制造過程中用于平面化晶圓表面的關(guān)鍵材料。CMP拋光墊通過結(jié)合化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械研磨的方式，能夠有效地去除晶圓表面的多余材料，從而達(dá)到高度平整的表面質(zhì)量。拋光墊CMP PAD通常由高分子聚合物材料制成，表面具有一定的微孔結(jié)構(gòu)，以便在拋光過程中儲(chǔ)存和釋放拋光液CMP Slurry，從而確保拋光過程的均勻性和效率。  CMP拋光墊在使用過程中需要定期更換，以保持其最佳的拋光性能。不同的CMP拋光墊適用于不同的拋光工藝和材料，因此選擇合適的拋光墊對(duì)于確保晶圓質(zhì)量

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金剛石懸浮液在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用

    金剛石懸浮液（CMP研磨液）在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用：適用于半導(dǎo)體晶圓拋光液CMP加工，藍(lán)寶石襯底、碳化硅晶圓、氮化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體晶片。    金剛石懸浮液在半導(dǎo)體晶圓的CMP研磨拋光中發(fā)揮著重要作用。以藍(lán)寶石襯底為例，藍(lán)寶石材質(zhì)硬度較高，傳統(tǒng)的研磨液難以達(dá)到理想的拋光效果，而金剛石懸浮液因其高硬度、高韌性的金剛石顆粒，能夠快速去除藍(lán)寶石襯底表面的材料，同時(shí)保證加工表面的光潔度。對(duì)于碳化硅SiC和氮化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體晶片，金剛石懸浮液同樣表

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吉致電子---什么是金剛石懸浮液CMP研磨液

   金剛石懸浮液（CMP研磨液）是一種由人造鉆石磨粒分散于水基或油基液體中制備而成的拋光懸浮液。它在硅片、硬質(zhì)合金、高密度陶瓷、藍(lán)寶石襯底體等多個(gè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。金剛石研磨液所含微粒是其發(fā)揮機(jī)械作用的關(guān)鍵因素。不同種類、不同粒度的金剛石微粉，拋光去除效果各不相同。例如，金剛石磨料硬度越高、粒徑越大，磨削效率越高，但加工表面光潔度越低；反之，金剛石磨料硬度越低、粒徑越小，磨削效率越低，而加工表面光潔度越高。所以，可以根據(jù)工件的具體參數(shù)選擇   不同型號(hào)和粒徑的金剛石研磨

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吉致電子--半導(dǎo)體CMP無蠟吸附墊

吉致電子無蠟吸附墊具有獨(dú)特的孔隙結(jié)構(gòu)，其吸附性能表現(xiàn)為真空狀態(tài)吸附住被拋光物件，其復(fù)合結(jié)構(gòu)與感壓膠設(shè)計(jì)在高的壓縮率及壓縮回彈率，分別適合CMP中高壓研磨制程，提供了優(yōu)異平坦化、不易沾黏、易清潔、下片容易、耐酸堿、高壽命等特性。此外，無蠟吸附墊、芯片吸附墊、硅片吸附墊的孔隙結(jié)構(gòu)還賦予其出色的透氣性和滲透性，確保了拋光過程中熱量的有效散發(fā)，避免工件因過熱而受損。感壓膠的靈活設(shè)計(jì)不僅提升了產(chǎn)品的適應(yīng)性，使其能在各種復(fù)雜表面實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定吸附

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阻尼布拋光墊：提升工件CMP表面平坦度的秘訣

  絨面拋光墊，亦稱阻尼布拋光墊，是由PU發(fā)泡微孔隙結(jié)構(gòu)與底層特殊基材相結(jié)合的獨(dú)特復(fù)合材料。其表層的細(xì)微開孔和高壓縮率特性，使得拋光液Slurry得以充分涵養(yǎng)，從而促進(jìn)機(jī)械與化學(xué)反應(yīng)的充分作用。此外，表層優(yōu)秀的研磨液流動(dòng)性有助于提升工件表面的潔凈度，降低表面粗糙度，并減少橘皮和微劃傷等缺陷。  阻尼布拋光墊廣泛應(yīng)用于各種精密加工領(lǐng)域，如半導(dǎo)體、液晶顯示屏、光學(xué)玻璃等。其優(yōu)異的拋光性能不僅能夠滿足高精度的表面處理要求，而且在提高生產(chǎn)效率和降低材料消耗方面也表現(xiàn)出色。由于其獨(dú)特的材料結(jié)構(gòu)，絨面拋光墊

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吉致電子---Si硅片拋光液，為半導(dǎo)體護(hù)航

  半導(dǎo)體硅片拋光液是一種均勻分散膠粒的乳白色膠體，在半導(dǎo)體材料的CMP加工過程中起著至關(guān)重要的作用。其外觀通常為乳白色或微藍(lán)色透明溶液。半導(dǎo)體硅片Si拋光液主要有拋光、潤滑、冷卻等作用。在拋光方面，Si Slurry能夠有效地去除半導(dǎo)體硅晶圓表面的雜質(zhì)和凸起，使硅片表面更加光滑平整。例如，經(jīng)過拋光液處理后，晶片表面的微粗糙度可以達(dá)到 0.2nm 以下。在潤滑作用中，它可以減少硅片與拋光設(shè)備之間的摩擦，降低磨損，延長設(shè)備的使用壽命。同時(shí)，在拋光過程中會(huì)產(chǎn)生熱量，而拋光液的冷卻作用可以及時(shí)帶走熱量，防止硅片

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吉致電子LN鈮酸鋰拋光液，CMP精密加工好助手

  鈮酸鋰化學(xué)式為LiNbO3簡稱LN，具有良好的非線性光學(xué)性質(zhì)，可用作光波導(dǎo)材料，或用于制作中低頻聲表濾波器、大功率耐高溫超聲換能器等。鈮酸鋰摻雜技術(shù)如今被廣泛應(yīng)用。Mg:LN提高抗激光損傷閾值，優(yōu)化在非線性光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用；Nd:Mg:LN晶體可實(shí)現(xiàn)自倍頻效應(yīng)；Fe:LN晶體可用于光學(xué)體全息存儲(chǔ)。CMP研磨液拋光液能平坦化鈮酸鋰晶圓表面凹陷，晶圓快速達(dá)到理想粗糙度。  8寸鈮酸鋰晶圓在光電子器件和集成電路領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。相較于較小尺寸的晶圓，8英寸鈮酸鋰晶圓具有明顯的優(yōu)勢(shì)。首先，它擁有更大

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半導(dǎo)體芯片研磨液與CMP工藝：鑄就芯片制造的基石

  CMP工藝在芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)  在蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，芯片制造如同一場精細(xì)的藝術(shù)創(chuàng)作，而半導(dǎo)體芯片研磨與CMP工藝則是其中重要的環(huán)節(jié)。芯片制造是一個(gè)高度復(fù)雜的過程，涉及多個(gè)步驟，CMP工藝在這個(gè)過程中起著不可或缺的作用。  隨著芯片制程不斷縮小，對(duì)晶圓表面平整度的要求越來越高。如果晶圓表面不平整，在后續(xù)的光刻、刻蝕等工藝中，就會(huì)出現(xiàn)對(duì)焦精度不準(zhǔn)確、線寬控制不穩(wěn)定等問題，嚴(yán)重影響芯片的性能和質(zhì)量。例如，當(dāng)制造層數(shù)增加時(shí)，如果晶圓表面不平整，可能導(dǎo)致金屬薄膜厚度不均進(jìn)而影響電阻值

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電子3C行業(yè)的好幫手---蘋果logo研磨液

 客戶經(jīng)常會(huì)問macbook鋁合金外面蘋果logo是怎么加工的？蘋果的背面Logo鏡面是怎么做的？蘋果logo拋光？ 蘋果產(chǎn)品一直以其精湛的工藝和卓越的設(shè)計(jì)而備受矚目，其中蘋果logo的研磨工藝更是在整個(gè)產(chǎn)品中起到了至關(guān)重要的作用。  蘋果logo采用了CMP化學(xué)機(jī)械平面拋光工藝，這一工藝借助CMP設(shè)備、研磨液 / 拋光液和拋光墊的共同作用，能夠使金屬工件表面達(dá)到鏡面效果，極大地提升了Apple logo的質(zhì)感。在蘋果的筆記本電腦和手機(jī)上，閃閃發(fā)光的Apple Logo常常讓人驚艷不已

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解鎖高效，硬質(zhì)合金CMP拋光液來襲

   硬質(zhì)合金是由難熔金屬的硬質(zhì)化合物和粘結(jié)金屬通過粉末冶金工藝制成的一種合金材料。它具有硬度高、耐磨、強(qiáng)度和韌性較好、耐熱、耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能，被譽(yù)為“工業(yè)牙齒”，廣泛用于切削工具、刀具、鈷具和耐磨零部件，在軍工、航天航空、機(jī)械加工、冶金、石油鉆井、礦山工具、電子通訊、建筑等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。常用硬質(zhì)合金按成分和性能特點(diǎn)分為三類:鎢鈷類、鎢鈦鈷類、鎢鈦鉭(鈮)類，每種都有其適用的領(lǐng)域和優(yōu)勢(shì)。硬質(zhì)合金平面件，如鎢鋼、鎢合金材質(zhì)等使用CMP拋光液和CMP研磨工藝能達(dá)到

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吉致電子---磷化銦InP晶圓拋光液的市場現(xiàn)狀

  目前，全球磷化銦（InP）晶圓市場的cmp拋光耗材主要由少數(shù)國外廠商主導(dǎo)。這些國外廠商憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的經(jīng)驗(yàn)，在產(chǎn)品質(zhì)量和性能方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企業(yè)在全球半導(dǎo)體slurry拋光液市場中具有較高的知名度和占有率。  相比之下，國內(nèi)企業(yè)的磷化銦（InP）晶圓拋光液研發(fā)起步較晚，但近年來隨著國內(nèi)半導(dǎo)體的快速發(fā)展，國產(chǎn)cmp拋光耗材也大量進(jìn)入市場，國內(nèi)廠家也在不斷加大研發(fā)投入，努力提升拋光液、拋光墊產(chǎn)品

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杜邦I(lǐng)C1000拋光墊的特點(diǎn)及國產(chǎn)替代

  在半導(dǎo)體晶圓及芯片的制造過程中，CMP是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝，而IC1000作為一種高性能的拋光墊，為 CMP工藝的順利進(jìn)行提供了有力保障。  杜邦I(lǐng)C1000系列拋光墊能夠存儲(chǔ)和輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域，通過slurry的流動(dòng)和分布使拋光工作持續(xù)均勻地進(jìn)行。在化學(xué)機(jī)械拋光過程中，拋光液中的化學(xué)成分與晶圓表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成較易去除的物質(zhì)，而dupont IC1000 Pad為這一化學(xué)反應(yīng)提供了穩(wěn)定的場所。同時(shí)，IC1000拋光墊能夠去除拋光過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品，如氧化產(chǎn)物

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吉致電子鈮酸鋰LN拋光液的優(yōu)點(diǎn)

  鈮酸鋰晶體LiNbO3化學(xué)機(jī)械拋光液能夠顯著降低工件表面粗糙度。在CMP化學(xué)機(jī)械加工工藝的優(yōu)化下LN鈮酸鋰工件表面粗糙度得以快速降低，獲得超光滑、無損傷的表面。表面粗糙度低不僅提高了工件的外觀質(zhì)量，更重要的是符合鈮酸鋰晶片高精度加工的嚴(yán)格需求。在一些對(duì)表面精度要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域，如光電子器件制造中，低表面粗糙度可以有效提高光的傳輸效率，減少散射損耗，提升器件的性能和可靠性。例如，在集成光路中，低損耗和高折射率對(duì)比度的光波導(dǎo)是構(gòu)建大規(guī)模光子集成芯片的最基本單元，而超光滑的鈮酸鋰表面能夠?yàn)楣獠▽?dǎo)提供更好的

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Suba800拋光墊國產(chǎn)替代一樣香

  Suba800是一款在半導(dǎo)體及集成電路相關(guān)領(lǐng)域被廣泛使用的cmp拋光墊。其作為化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝的知名耗材，產(chǎn)品特性顯著且穩(wěn)定性高，適用于半導(dǎo)體硅片、晶圓、精密陶瓷、藍(lán)寶石襯底等工件的表面平坦化。  Suba800拋光墊還適用于光學(xué)和金屬材料的拋光。在光學(xué)材料的拋光中，Suba800能提供高透明度、低粗糙度的表面，提高光學(xué)性能。在金屬工件拋光中，Suba800能夠有效去除金屬表面的氧化膜和劃痕，使其表面更加光滑、亮麗。  無錫吉致電子科技有限公司生產(chǎn)的 Suba800國產(chǎn)替代產(chǎn)品

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DNA基因芯片cmp工藝

  基因芯片又稱DNA芯或DNA微陣列。它是一種同時(shí)將大量的探針分子固定到固相支持物上，借助核酸分子雜交配對(duì)的特性對(duì)DNA樣品的序列信息進(jìn)行高效解讀和分析的技術(shù)，主要應(yīng)用在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域、生物學(xué)研究領(lǐng)域和農(nóng)業(yè)領(lǐng)域。DNA芯片生產(chǎn)過程需要經(jīng)過CMP研磨拋光去除基板水凝膜，達(dá)到理想表面效果。 吉致電子DNA基因芯片slurry，有效去除基底涂覆的軟材料,軟材料包括但不限于聚合物、無機(jī)水凝膠或有機(jī)聚合物水凝膠等。基因芯片研磨液使用微米級(jí)磨料制備，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝

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納米拋光液---吉致電子氧化硅slurry的應(yīng)用及特點(diǎn)

  吉致電子納米級(jí)氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型CMP拋光產(chǎn)品。粒度均一的SiO2磨料顆粒在CMP研磨過程中分散均勻，能達(dá)到快速拋光的目的且不會(huì)對(duì)加工件造成物理損傷。納米級(jí)硅溶膠拋光液不易腐蝕設(shè)備，提高了使用的安全性。制備工藝和配方有效提高了平坦化加工速率，快速降低表面粗糙度，且工件表面劃傷少。  吉致電子氧化硅slurry粒徑分布可控，根據(jù)不同的拋光需求，生產(chǎn)出不同粒徑大小的納米氧化硅拋光液，粒徑范圍通常在 5-100nm 之間。以氧化硅為磨料的納米拋

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吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用

吉致電子鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導(dǎo)體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關(guān)鍵材料。通過CMP化學(xué)機(jī)械拋光，能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度，為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如，在集成電路的生產(chǎn)中，鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì)，達(dá)到表面平坦化效果，確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學(xué)表面提供高光潔度拋光，因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能，在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學(xué)元件，表面粗糙度極低

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歡度十一國慶：吉致電子與您共同慶祝祖國生日，共創(chuàng)美好未來

親愛的吉致電子同仁、客戶、合作伙伴： 2024年10月1日，中華人民共和國迎來75周年華誕，情牽華夏心連心，值此普天同慶的時(shí)刻，我們想借此機(jī)會(huì)表達(dá)對(duì)祖國、對(duì)奮斗拼搏的各位之深深熱愛和祝福，愿我們的祖國更上一層樓！ 吉致電子作為一家富有濃厚愛國情懷且正在蓬勃發(fā)展的電子科技企業(yè)，我們深知自己的使命與愿景：致力于研發(fā)生產(chǎn)卓越的集成電路精密拋光產(chǎn)品，為國家半導(dǎo)體行業(yè)貢獻(xiàn)一份力。吉致電子們與祖國同呼吸、共命運(yùn)，有了祖國的支持我們的cmp拋光研磨產(chǎn)品才能不斷地推陳出新，吉致電子將始終堅(jiān)守初心，全力以赴為客戶

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