吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

無蠟吸附墊：精密制造的卓越之選

無蠟吸附墊的設(shè)計充分考慮了不同行業(yè)、不同工藝的實際需求，具有高度的通用性和靈活性。提高吸附穩(wěn)定性，還能起到良好的排屑作用，防止加工過程中產(chǎn)生的碎屑堆積在吸附墊表面，影響加工精度和吸附效果。 以下是吉致電子無蠟吸附墊的介紹：組合式無蠟拋光吸附墊 結(jié)構(gòu)：包括基布、吸附結(jié)構(gòu)和粘貼結(jié)構(gòu)。吸附結(jié)構(gòu)由聚氨酯吸附層和環(huán)形氣腔組成，聚氨酯吸附層粘貼在基布上，環(huán)形氣腔設(shè)置在聚氨酯吸附層上，起到吸附固定且揭開時減少吸附力的作用；粘貼結(jié)構(gòu)包括無殘留雙面膠和離型紙，無殘留雙面膠粘貼在基布上，離型紙粘貼在無殘留雙面膠上 。 優(yōu)點：

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影響碳化硅襯底質(zhì)量的重要工藝參數(shù)有哪些

碳化硅襯底提高加工速率和良品率的主要因素除了用對拋光液和拋光墊，在CMP拋光研磨過程的工藝參數(shù)也很重要：拋光壓力：適當增加壓力可以提高拋光效率，但過高的壓力可能導致襯底表面產(chǎn)生劃痕、損傷甚至破裂。一般根據(jù)襯底的厚度、硬度以及拋光設(shè)備的性能，壓力范圍在幾十千帕到幾百千帕之間。拋光轉(zhuǎn)速：包括襯底承載臺的轉(zhuǎn)速和拋光墊的轉(zhuǎn)速。轉(zhuǎn)速影響拋光液在襯底和拋光墊之間的流動狀態(tài)以及磨料的磨削作用。較高的轉(zhuǎn)速可以加快拋光速度，但也可能使拋光液分布不均勻，導致表面質(zhì)量下降。轉(zhuǎn)速通常在每分鐘幾十轉(zhuǎn)到幾百轉(zhuǎn)之間調(diào)整。拋光時間：由襯底需要去除

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吉致電子給您拜年啦！

親愛的吉致電子合作伙伴：您好！2025年的春節(jié)鐘聲已經(jīng)敲響，在這辭舊迎新、闔家團圓的美好時刻，吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠摯、最美好的新春祝福！過去一年，我們一同見證了行業(yè)的風云變幻，也共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)。但無論市場環(huán)境如何復雜，您始終堅定地站在我們身邊，與我們并肩前行。這種不離不棄的信任，是我們最為珍視的財富，也是我們持續(xù)創(chuàng)新、提升自我的強大動力源泉。值此新春佳節(jié)，愿您和您的家人盡享健康之福，身體硬朗，活力滿滿。家庭生活幸福美滿，親情在歡聲笑語中愈發(fā)深厚，每天都被溫暖與愛意環(huán)繞。新的一年，

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碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案

SiC CMP拋光液是一種用于對碳化硅襯底進行化學機械拋光的關(guān)鍵材料，通過化學腐蝕和機械磨損的協(xié)同作用，實現(xiàn)碳化硅襯底表面材料的去除及平坦化，從而提高晶圓襯底的表面質(zhì)量，達到超光滑、無缺陷損傷的狀態(tài)，滿足外延應用等對襯底表面質(zhì)量的嚴苛要求。目前碳化硅襯底CMP工藝面臨的挑戰(zhàn)與解決方案：①碳化硅硬度高：碳化硅硬度僅次于金剛石，這使得其拋光難度較大。需要研發(fā)更高效的磨料和優(yōu)化拋光液配方，以提高對碳化硅的去除速率。例如，采用高硬度、高活性的磨料，并優(yōu)化磨料的粒徑分布和形狀，同時調(diào)整化學試劑的種類和濃度，增強

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碳化硅襯底CMP工藝流程

碳化硅襯底CMP工藝流程如下：準備工作：對碳化硅SiC襯底進行清洗和預處理，去除表面的灰塵、油污等雜質(zhì)，保證襯底表面潔凈。同時，檢查CMP拋光設(shè)備是否正常運行，調(diào)整好吉致電子碳化硅專用拋光墊的平整度和壓力等參數(shù)。拋光液涂覆：通過自動供液系統(tǒng)，按照一定的流量和頻率進行參數(shù)調(diào)整，確保拋光液在拋光過程中始終充足且均勻分布。CMP拋光過程：將SiC襯底固定在拋光機的承載臺/無蠟吸附墊，使其與涵養(yǎng)拋光液的拋光墊接觸。拋光機帶動襯底和拋光墊做相對運動，在一定的壓力和轉(zhuǎn)速下，拋光液中的磨料對碳化硅襯底表面進行機械磨削，同時拋光液

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吉致電子2025年春節(jié)放假通知

尊敬的吉致電子合作伙伴：您好！舊歲已展千重錦，新年再進百尺竿。在這辭舊迎新的美好時刻，無錫吉致電子科技有限公司全體員工向您及您的家人致以最誠摯的新春祝福，感謝您一直以來對我們的支持與信任，您的認可與信賴是我們不斷前行的動力?；厥走^去一年，我們共同經(jīng)歷了諸多挑戰(zhàn)，也一同收獲了成長與進步。我們深知，每一次突破與成就，都離不開您的堅定支持。您的寶貴建議，讓我們的產(chǎn)品和服務不斷完善，得以更精準地滿足您的需求。在此，我們向您表達最衷心的感謝?，F(xiàn)將我司 2025年春節(jié)放假時間安排告知如下：放假時間為 2025 年 1 月&nb

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半導體CMP--碳化硅襯底無蠟吸附墊的特點

碳化硅SiC襯底在CMP研磨拋光工藝中使用吉致無蠟吸附墊的好處主要體現(xiàn)在以下幾個方面：①穩(wěn)定性與吸附力真空吸附原理優(yōu)勢：利用真空吸附，可在吸附墊與襯底間形成強大負壓，使襯底與吸附墊緊密貼合。如在化學機械拋光（CMP）中，能讓晶圓襯底在高速旋轉(zhuǎn)和研磨壓力下保持原位，避免位移和晃動，確保拋光均勻性。②降低破片率：吉致電子半導體無蠟吸附墊強而穩(wěn)定的吸附力可均勻分散外力，防止局部受力過大。在超薄晶圓或大尺寸晶圓拋光時，能有效避免因吸附不穩(wěn)導致的晶圓破裂，提高生產(chǎn)效益。③簡化工藝流程無需除蠟環(huán)節(jié)：傳統(tǒng)吸附墊常需涂蠟輔助吸附，

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吉致電子--Apple Logo 無蠟吸附墊

無蠟吸附墊蘋果logo研磨拋光墊是一種專為Apple logo研磨拋光設(shè)計的工具，其無蠟構(gòu)造確保了高效穩(wěn)定、無殘留的CMP拋光效果，使用方便降低logo工件損耗率。吉致電子無蠟吸附墊Template主要特點無蠟構(gòu)造：采用無蠟材料，有效降低拋光過程中殘留物的產(chǎn)生，從而提升拋光品質(zhì)。高精度研磨：能夠?qū)崿F(xiàn)精準的研磨和拋光作業(yè)，確保蘋果logo的細節(jié)和清晰度得到完美呈現(xiàn)。卓越耐磨性：選用高品質(zhì)材料，耐磨性強，顯著延長了產(chǎn)品的使用壽命。環(huán)保安全：無蠟設(shè)計減少了對環(huán)境和操作人員的潛在影響。logo專用無蠟吸附墊應用范圍logo

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CMP拋光墊在化學機械平面研磨中的作用和效果

CMP拋光墊在化學機械平面研磨中的作用和效果通過調(diào)整拋光墊的密度和硬度，可以根據(jù)目標值（如鏡面光潔度、精度等）進行優(yōu)化，確保工件表面達到鏡面光潔度，同時與研磨相比，損傷降至最低。在CMP過程中，拋光墊主要發(fā)揮以下作用：1. 均勻施加壓力：由于拋光墊通常由柔性材料制成，并具有一定的彈性，它能夠在壓力施加時均勻變形，確保材料的去除速率在整個晶圓表面上保持一致，避免局部去除過度或不足。2. 散熱：CMP過程中會產(chǎn)生大量熱量，拋光墊通常由具有良好導熱性能的材料制成，例如聚氨酯等，能夠快速傳導熱量，防止局部過熱，從而保護晶圓

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半導體晶圓拋光墊的類型有哪些

一、CMP拋光墊概述CMP拋光墊是半導體晶圓制造中不可或缺的工具之一，主要用于半導體晶圓的拋光和平整處理。這些拋光墊CMP Pad采用優(yōu)質(zhì)材料制作，展現(xiàn)出卓越的耐磨性和平坦度，確保晶圓在拋光過程中得到妥善保護，不受損害。根據(jù)不同的材質(zhì)和硬度需求，拋光墊可分為多種類型。二、各種自粘式CMP拋光墊的種類和特點1. 聚氨酯(PU)拋光墊聚氨酯(PU)拋光墊是拋光墊中的一種常見類型，其硬度較低，展現(xiàn)出良好的柔軟性和彈性，特別適用于需要柔軟拋光墊的場合。它的拋光效果出色，使用壽命較長，但價格相對較高。2. 聚酯(PET)拋光

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為什么不能用機械磨削grinding代替cmp？

  為何僅在晶圓背面減薄過程中采用grinding工藝？盡管在芯片制程中也存在減薄需求，為何選擇cmp工藝而非grinding？Grinding與cmp工藝的原理是什么？Grinding，即機械磨削，是一種通過機械力直接去除晶圓表面材料的方法。通常不使用研磨液，而是利用超純水進行清洗或帶走產(chǎn)生的碎屑和熱量。相比之下，cmp即化學機械研磨，結(jié)合了化學反應與機械力來去除材料。目標材料首先與cmp slurry中的氧化劑、酸、堿等發(fā)生微反應，隨后在拋光頭、拋光墊以及slurry中磨料的共同作用下，通過機械力去除

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吉致電子2025元旦祝福

2025新年鐘聲敲響，無錫吉致電子科技有限公司攜全體員工，向您致以最誠摯的祝福！愿2025年，科技引領(lǐng)未來，創(chuàng)新點亮生活。我們不忘初心，砥礪前行，為您帶來更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務。新年新氣象，愿與您攜手共創(chuàng)輝煌！祝福大家元旦快樂，闔家幸福！在新的一年里，吉致電子公司將持續(xù)深耕技術(shù)，不斷探索電子領(lǐng)域的無限可能。我們承諾，將以更加專業(yè)的態(tài)度，更加嚴謹?shù)难邪l(fā)精神，為您打造更加智能、更加高效的CMP研磨拋光解決方案。同時，我們也將更加注重用戶體驗，傾聽每一位客戶的聲音，不斷優(yōu)化產(chǎn)品和服務，讓您感受到來自吉致電子的溫暖與關(guān)懷。愿我

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吉致電子SiC碳化硅研磨墊國產(chǎn)替代

  在碳化硅拋光墊/研磨墊（SiC CMP Pad）市場中，高端領(lǐng)域呈現(xiàn)出寡頭壟斷的格局。其中，杜邦Suba800系列產(chǎn)品被廣泛采用，同時也有部分客戶選擇杜邦的Suba600和Suba400系列，以及Supreme Series和Politex系列等產(chǎn)品。此外，日本廠商Fujibo也在市場中扮演著關(guān)鍵角色，其主打產(chǎn)品包括G804W、728NX和FPK66等型號。  在競爭激烈的半導體集成電路市場中，除了上述提到的幾款CMP拋光墊產(chǎn)品外，國內(nèi)一些新興企業(yè)也在不斷研發(fā)創(chuàng)新，試圖打破現(xiàn)有的市場格局，為

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吉致電子CMP Pad化學機械拋光墊

吉致電子專注研發(fā)、設(shè)計、測試與生產(chǎn)制造CMP耗材，CMP PAD化學機械拋光墊用于半導體制造、平面顯示器、光學玻璃、各類晶圓襯底材料、高精密陶瓷件、金屬與硬盤基板的研磨拋光工藝。吉致電子CMP拋光墊采用精密涂布技術(shù)和科技材料能有效提升客戶制程中的移除率和高平坦度、低缺陷等要求。吉致拋光墊團隊從事高分子材料合成、發(fā)泡技術(shù)與復合材料研制已有多年經(jīng)驗，積累深厚的材料制造和研發(fā)基礎(chǔ).拋光墊產(chǎn)品因其特殊纖維材質(zhì)，耐用、耐磨、耐酸堿，價比高。PAD產(chǎn)品包括且不限于：聚氨酯拋光墊、阻尼布精拋墊、復合拋光墊、絨面拋光墊、無紡布拋光

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吉致電子---無蠟吸附墊的特點

無蠟墊與吸附墊是在半導體與光學玻璃領(lǐng)域取代蠟塊粘結(jié)工件的科技產(chǎn)品。有直接吸附型與帶框置具型，搭配吉致CMP納米級拋光液使用，可提升晶圓、襯底、芯片的拋光效率和良品率。無蠟吸附墊Template是替代以蠟將工件黏附在置具上的模式，內(nèi)層採用了拋光微孔材料其吸附性能表現(xiàn)為真空狀態(tài)吸附住被拋光工件，良好的壓縮率和回彈性分別適合中高壓研磨制程。廣泛應用于半導體晶圓/芯片/藍寶石襯底TFT/STN/素玻璃/石英光罩/光學玻璃等領(lǐng)域的CMP單面拋光。 吉致電子無蠟吸附墊的優(yōu)點在于加工過程中

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吉致電子---阻尼布拋光墊的功能和應用領(lǐng)域

吉致電子阻尼布拋光墊（精拋墊）的功能和應用領(lǐng)域有哪些？一、阻尼布拋光墊的功能優(yōu)勢①提高拋光質(zhì)量：阻尼布拋光墊能夠有效吸收拋光過程中的振動和沖擊，使拋光表面更加光滑、細膩，從而提高產(chǎn)品質(zhì)量。②減少表面損傷：通過降低拋光過程中的振動和沖擊力，阻尼布拋光墊可以減少對拋光表面的損傷，保護材料的完整性。③提高工作效率：阻尼布拋光墊具有良好的耐用性和穩(wěn)定性，能夠長時間保持穩(wěn)定的拋光效果，從而提高工作效率。二、阻尼布拋光墊的應用領(lǐng)域阻尼布拋光墊在多個領(lǐng)域都有廣泛的應用，包括但不限于：①金屬加工領(lǐng)域：可用于金屬表面的拋光處理，如鈦

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吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些

吉致電子CMP精拋墊的作用有哪些？化學機械拋光（CMP）技術(shù)是目前國際上公認的唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化的技術(shù)，在半導體技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。CMP精拋墊，作為CMP化學機械平面研磨（Chemical Mechanical Polishing）精拋階段所使用的拋光墊，是半導體制造過程中不可或缺的關(guān)鍵耗材。吉致電子CMP拋光墊--精拋墊的功能特點將通過以下四個方面進行闡述：  CMP精拋墊在CMP工藝流程中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，其主要功能涵蓋：1.確保拋光液能夠高效且均勻

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黑色阻尼布拋光墊和白色阻尼布拋光墊的區(qū)別

白色阻尼布拋光墊和黑色阻尼布拋光墊的主要區(qū)別有哪些？黑白色阻尼布PAD的區(qū)別在于材質(zhì)、用途和拋光效果。一、黑色/白色阻尼布材質(zhì)和用途不同?白色阻尼布拋光墊?：通常采用中等硬度的材質(zhì)，如中等密度的海綿或布料。這種拋光墊在去除中度劃痕和污漬方面效果顯著，適用于中等強度的拋光作業(yè)。它能夠在拋光過程中保持適中的溫度，避免對材料造成熱損傷，因此在各種金屬、塑料等材料的拋光過程中得到廣泛應用?。黑色阻尼布拋光墊：采用較硬的材質(zhì)，如高密度海綿或硬質(zhì)布料。這種拋光墊具有較強的切削力和耐磨性，適用于去除重度劃痕、污漬和氧化層。

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吉致電子CMP拋光液在光學玻璃加工中的應用進展

  CMP拋光液在光學玻璃領(lǐng)域的應用主要體現(xiàn)在實現(xiàn)光學玻璃表面的超精密加工，以滿足對表面粗糙度和平坦度的高要求。CMP拋光液通過化學作用和機械研磨的有機結(jié)合，能夠有效地去除光學玻璃表面的材料，達到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的效果。隨著光學技術(shù)的不斷發(fā)展，對光學玻璃表面質(zhì)量的要求也越來越高。CMP拋光液/研磨液作為一種先進的拋光材料，在光學玻璃領(lǐng)域的應用越來越廣泛。   在CMP拋光過程中，拋光液中的化學成分與光學玻璃表面發(fā)生反應形成軟質(zhì)層。同時，拋光液中的磨料微粒，如納米二氧化硅

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半導體拋光墊---吉致電子Suba pad替代

 在半導體硅片、襯底、光學玻璃以及精密陶瓷等材料的加工領(lǐng)域，CMP拋光工藝是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，而CMP拋光墊（CMP Pad）則是這一環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵因素之一。其中，由陶氏公司（Dow）生產(chǎn)的SUBA拋光墊（Suba Pad）備受矚目。   陶氏公司生產(chǎn)的SUBA拋光墊在CMP化學機械研磨方面有著優(yōu)異的拋光性能，尤其在拋光半導體晶圓方面效果顯著。半導體晶圓和襯底是現(xiàn)代集成電路產(chǎn)業(yè)的基石，晶圓和襯底表面的平坦度、光潔度等直接影響芯片的性能和質(zhì)量。SUBA拋光墊憑借其獨特的材料和結(jié)構(gòu)，能夠使拋光過程達到一

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