吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

吉致電子應(yīng)邀出席半導(dǎo)體國際論壇并斬獲獎(jiǎng)牌

  2023年11月28日第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門開幕。IFWS&SSLCHINA是中國地區(qū)舉辦的、專業(yè)性最強(qiáng)、影響力最大的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域國際性年度盛會(huì)，也是規(guī)模最大、規(guī)格最高的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈綜合性論壇。  吉致電子受邀出席大會(huì)，斬獲大會(huì)頒發(fā)的“品牌力量”獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)由IFWS&SSLCHINA組委會(huì)頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢品牌所創(chuàng)立，

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金屬鉬片的CMP拋光工藝

  工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產(chǎn)品合格率下降，也造成后續(xù)加工難度，這與金屬鉬的特性有關(guān)，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達(dá)到鏡面效果。  鉬的特點(diǎn)：鉬是一種難溶金屬，具有很多優(yōu)良的物力化學(xué)和機(jī)械性能。由于原子間結(jié)合力極強(qiáng)，所以在常溫和高溫下強(qiáng)度均非常高。它的膨脹系數(shù)低，導(dǎo)電率大，導(dǎo)熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應(yīng)，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對大多數(shù)液態(tài)金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當(dāng)穩(wěn)定。&

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吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光

氮化鋁陶瓷基板具有高導(dǎo)熱率、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高機(jī)械強(qiáng)度、高耐腐蝕性等特點(diǎn)。其作為電路元件及互連線承載體，廣泛應(yīng)用再軍事和空間技術(shù)通訊、計(jì)算機(jī)、儀器儀表、半導(dǎo)體電子設(shè)備、汽車等各個(gè)領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷經(jīng)過CMP拋光后可用于半導(dǎo)體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達(dá)鏡面效果，特點(diǎn)如下：1、納米級拋光液，拋光后具有較優(yōu)的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環(huán)使用，根據(jù)工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過CMP

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吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用

   拋光液是CMP的關(guān)鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成薄且剪切強(qiáng)度很低的化學(xué)反應(yīng)膜，反應(yīng)膜（軟質(zhì)層）在磨粒的機(jī)械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續(xù)生成新的反應(yīng)膜，CMP工藝周而復(fù)始的進(jìn)行磨拋，達(dá)到表面平坦效果。  通過研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對SiC晶片進(jìn)行機(jī)械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應(yīng)力層和機(jī)械損傷層。為進(jìn)一步提高碳化硅晶圓表面質(zhì)量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC

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吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì)議“優(yōu)秀組織獎(jiǎng)”

  2023年11月8日-10日第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì)議(APCSCRM 2023)在北京圓滿落幕。本次會(huì)議聚焦寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料及器件多學(xué)科主題，邀請全球60余位知名專家學(xué)者、龍頭企業(yè)、資本機(jī)構(gòu)蒞臨會(huì)議現(xiàn)場，通過大會(huì)報(bào)告、專場報(bào)告、高峰論壇、口頭報(bào)告、項(xiàng)目路演和墻報(bào)等形式，分享全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體技術(shù)最新研究進(jìn)展，交換產(chǎn)業(yè)前瞻性觀點(diǎn)，展示企業(yè)先進(jìn)成果，促進(jìn)行業(yè)互聯(lián)互通。    吉致電子科技有限公司出席了此次會(huì)議，并在會(huì)議期間設(shè)有展臺。吉致電子的代表們與全球各地的專家

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吉致電子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割過程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度，研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據(jù)粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質(zhì)層，研磨液中會(huì)使用粒徑較大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層，改善表面光潔度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后續(xù)的精細(xì)拋光，因此使用粒徑較細(xì)的磨粒研磨晶片。  為獲

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第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

  隨著國家對第三代半導(dǎo)體材料的重視，近年來我國半導(dǎo)體材料市場發(fā)展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注，兩者經(jīng)常被拿來比較。  同為寬近帶半導(dǎo)體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)。  隨著市場對半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求，這類材料的市場需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同：高電子遷移

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半導(dǎo)體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液

  拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無損傷的平坦化表面。對于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝來進(jìn)行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達(dá)到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導(dǎo)體襯底，需要經(jīng)過單晶生長、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過程。由于磷化銦硬度小、質(zhì)地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯(cuò)密度并降低表面粗糙度。  吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

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藍(lán)寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液

  氧化鋁拋光液在LED行業(yè)的應(yīng)用廣泛，如藍(lán)寶石襯底的CMP拋光，為避免大粒徑磨料對工件造成劃傷，通常選用粒徑為50∼200nm，且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍(lán)寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤，需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果，吉致電子科技生產(chǎn)的氧化鋁拋光液/研磨液可專業(yè)用于藍(lán)寶石拋光，氧化鋁磨料具有分布窄，粒徑小，硬度高、尺寸穩(wěn)定性好，α相轉(zhuǎn)晶完全，團(tuán)聚小易分散等特點(diǎn)。  吉致電子對α-Al2O3顆粒的Zeta電位，以及拋光液添加穩(wěn)定劑、分散劑的種類和質(zhì)量都有

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吉致電子手機(jī)中框拋光液及智能穿戴設(shè)備表面處理

手機(jī)中框、智能穿戴設(shè)備表面處理，有拋光、噴砂等工藝。吉致電子3C產(chǎn)品專用拋光液及拋光耗材，速率快效果好。手機(jī)中框?qū)τ阽R面拋光要求非常高，需要達(dá)到鏡面效果，鈦合金相比其他鋁合金、不銹鋼等金屬是相對較硬的材質(zhì)手機(jī)中框鏡面拋光可以用氧化鋁拋光液搭配拋光皮達(dá)到一個(gè)高亮面的效果，其效果可達(dá)到：1.懸浮性好，不易沉淀；2.顆粒分散均勻，不團(tuán)聚，軟硬度適中，有效避免拋光過程中由于顆粒團(tuán)聚導(dǎo)致 的工件表面劃傷缺陷。3.運(yùn)用拋光過程中的化學(xué)新作用，提高拋光速度，改善拋光表面的質(zhì)量。4.分散性好、乳液均一，程度提升拋光速率的同時(shí)降低微

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吉致電子--單晶金剛石研磨液的用途

  吉致電子單晶金剛石研磨液是由單晶金剛石微粉、水/油等液體配制而成的CMP研磨液，可有效提高切削力和拋光效率。單晶金剛石硬度大、抗磨損性能好，具有良好的導(dǎo)熱性能和耐高溫性能，能夠在高溫高壓環(huán)境下保持穩(wěn)定的物理和化學(xué)性質(zhì)。  吉致電子生產(chǎn)的單晶金剛石研磨液 / 單晶金剛石拋光液 / 單晶金剛石懸浮液產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、集成電路、光學(xué)儀器，精密陶瓷，硬質(zhì)合金，LED顯示屏等多種領(lǐng)域。溶劑一般分為水基，油基，潤滑基，酒精基。金剛石研磨液粒度：1μm，3μm，6μm，9μm （也可定制0.25μm

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生物芯片拋光---吉致碳酸鈣拋光液

生物基因芯片拋光該選擇什么類型的研磨液/拋光液呢？通常CMP拋光液磨料為氧化硅、氧化鋁、金剛石、氧化鈰等，但用于基因芯片玻璃基底水凝層的去除效果不太理想。經(jīng)過吉致電子研發(fā)和實(shí)驗(yàn)，配制的碳酸拋光液可有效拋光生物基因芯片達(dá)到理想的平坦度。吉致電子基因芯片拋光液 DNA Slurry選用微米級磨料，粒徑均一穩(wěn)定，有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝膠、納米壓印、抗蝕劑材料等。通過CMP工藝可有效去除基底涂層，對基底無劃傷無殘留，吉致電子碳酸鈣拋光液、DNA芯片拋光液與國內(nèi)外同類產(chǎn)品相比，具有易清洗、表面粗糙度

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吉致電子--磨具拋光液 配油盤加工拋光

金屬模具研磨拋光---配油盤由強(qiáng)度較高的模具鋼制成，一般研磨工藝很難達(dá)到拋光效果，即使有效拋磨時(shí)間也非常漫長。吉致電子使用CMP工藝研磨液和拋光墊結(jié)合，通過不同磨料制備的液體，快速去除工件表面凹凸不平坦，達(dá)到平整光滑的效果。硬質(zhì)金屬拋光研磨使用金剛石研磨液，實(shí)現(xiàn)平面快速拋光，去毛刺和劃痕。吉致電子金剛石研磨液包括多晶、單晶、納米三種不同類型的拋光液，由優(yōu)質(zhì)的金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，配方多樣化，適用不同的研拋過程和于硬質(zhì)材料的研磨和拋光。本文由無錫吉致電子科技原創(chuàng)，版權(quán)歸無錫吉致電子科技，未經(jīng)允許，不得轉(zhuǎn)

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吉致電子 Diamond slurry多晶金剛石研磨液

吉致電子多晶金剛石研磨液---由優(yōu)質(zhì)多晶金剛石微粉復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)制備而成，廣泛適用于半導(dǎo)體行業(yè)、金屬行業(yè)、光電行業(yè)等工件的研磨加工。金剛石研磨液主要應(yīng)用領(lǐng)域：藍(lán)寶石加工----用于藍(lán)寶石A向、C向、R向、M向，藍(lán)寶石LED襯底、藍(lán)寶石蓋板、藍(lán)寶石窗口片。半導(dǎo)體加工----單晶/多晶硅、碳化硅SIC、氮化鎵晶圓片加工陶瓷材料加工--氧化鋯指紋識別片，氧化鋯陶瓷手機(jī)后殼，氮化鋁陶瓷以及其他功能陶瓷加工。光學(xué)晶體加工--硒化鋅晶體、硫化鋅晶體以及其他晶體材料加工。金屬材料加工--不銹鋼、鋁合金、硬質(zhì)合金、鎢鉬合金以

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藍(lán)寶石襯底研磨用什么拋光液

  CMP工藝怎么研磨藍(lán)寶石襯底？需要搭配什么拋光液？藍(lán)寶石拋光萬能公式：粗拋、中拋、精拋，每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD：①藍(lán)寶石CMP粗磨：藍(lán)寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強(qiáng)的吉致金剛石研磨液，搭配金剛石磨盤，速率高效果好可有效去除藍(lán)寶石表面的不平和劃痕。②藍(lán)寶石CMP中拋：這一步可以用銅盤+小粒徑的金剛石研磨液，用來去除粗拋留下的紋路，為鏡面拋光做前期準(zhǔn)備。③藍(lán)寶石CMP精拋：CMP精拋是藍(lán)寶石襯底最后一道工序，需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來收光，呈現(xiàn)平坦無暇的鏡面效果。 

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半導(dǎo)體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區(qū)別

  常用的半導(dǎo)體拋光液，按拋光對象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應(yīng)用于 130nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)邏輯芯片的制造工藝，而鎢拋光液W slurry則大量應(yīng)用于存儲(chǔ)芯片制造工藝，在邏輯芯片中用量較少。  銅拋光液，主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來腐蝕溶解銅表面，成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜，鈍化膜的形成可以保護(hù)腐蝕劑的進(jìn)一步腐蝕，并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外，CMP拋光液中經(jīng)常添加一些化學(xué)試劑以調(diào)節(jié)PH值，為拋光過程

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打磨碳化硅需要哪種拋光墊？

  打磨碳化硅需要哪種拋光墊？  打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序：粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據(jù)CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊：粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊  吉致電子CMP拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性價(jià)比等優(yōu)勢。結(jié)合硬質(zhì)和軟質(zhì)研磨拋光墊的優(yōu)點(diǎn)，可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無紡布復(fù)合拋光墊，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圓制程的穩(wěn)定性與尺寸精密度。  壓紋和開槽工藝，讓PAD可保持拋光

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二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同

  二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子高純度CMP拋光產(chǎn)品。 硅溶膠拋光液是以液體形式存在，直徑為10-150nm的二氧化硅粒子（分散相）在水或有機(jī)液體（分散介質(zhì)）里的分散體系，粒子的形貌多為球形，適用于各類工件的鏡面拋光，如金屬、藍(lán)寶石襯底、半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃、精密電子元器件等的鏡面拋光。 本質(zhì)上講二氧化硅拋光液、硅溶膠拋光液都是一種東西，主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨拋光工藝中，機(jī)器通過壓力泵把氧化硅拋光液輸送到拋光槽內(nèi)進(jìn)行循環(huán)使用，

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碳化硅Sic襯底加工流程有哪些

碳化硅襯底是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法生長碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片，簡單流程可概括為原料合成→晶體生長→。1、原料合成將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高溫下反應(yīng)合成碳化硅顆粒。再經(jīng)過破碎、清洗等工序，制得滿足晶體生長要求的高純度碳化硅微粉原料。2、晶體生長以高純度碳化硅微粉為原料，使用自主研制的晶體生長爐，采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 生長碳化硅晶體將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長爐內(nèi)圓柱狀密閉的石墨甘場下部和頂部，通過電磁感應(yīng)將

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半導(dǎo)體拋光---硅片拋光墊怎么選

  硅片拋光涉及到半導(dǎo)體工件的技術(shù)加工領(lǐng)域，硅片拋光墊的多孔結(jié)構(gòu)和軟性磨料材料，可以適應(yīng)不同硅片材料的表面結(jié)構(gòu)，達(dá)到不同表面加工的需求。在微電子、半導(dǎo)體、光電等領(lǐng)域中，CMP拋光墊的使用越來越廣泛，尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中，CMP拋光墊的質(zhì)量和性能至關(guān)重要。   硅片拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的

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