吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

不銹鋼工件原始品質(zhì)對CMP拋光效果的影響

  不銹鋼鏡面拋光效果的優(yōu)良，不僅取決于拋光方案設(shè)計、拋光耗材（CMP拋光液、拋光墊）選擇和拋光參數(shù)設(shè)置，不銹鋼拋光工件的原始品質(zhì)也影響到最終的拋光的效果。當(dāng)拋光效果不盡人意時，不僅要對拋光方案、所使用耗材的品質(zhì)進(jìn)行評估和優(yōu)化，同時對于工件的質(zhì)量也要有所考慮。  不銹鋼工件品質(zhì)對CMP拋光工藝的影響1.優(yōu)質(zhì)的的不銹鋼工件是獲得良好拋光質(zhì)量的前提條件，工件表面硬度不均或特性上有差異都會對拋光產(chǎn)生一定的困難。金屬工件中的夾雜物和氣孔都是影響拋光的不利因素。2.電火花加工后的金屬表面難以研磨，若未在加

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吉致電子---氧化鈰研磨液在半導(dǎo)體CMP制程中的作用

  粒徑30-50nm的球形氧化鈰研磨液用于半導(dǎo)體芯片制程：應(yīng)用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成電路STI(淺溝槽隔離層)CMP  STI目前已成為器件之間隔離的關(guān)鍵技術(shù)，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技術(shù)。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進(jìn)行二氧化硅沉積、后用CMP技術(shù)進(jìn)行表面平坦化。目前的研究表明采用納米氧化鈰作為CMP磨料，在拋光效率及效果上均優(yōu)于其他產(chǎn)品。  納米氧化鈰拋光液在硅晶圓CMP平坦化的效果優(yōu)異  粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液用于單晶硅片表面C

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CMP拋光液廠家---蘋果Logo專用拋光液

  果粉們時常被MacBook，Iphone上閃閃發(fā)光的Apple Logo所驚艷到，那么蘋果手機(jī)和筆記本上的金屬Logo是如何實(shí)現(xiàn)鏡面工藝的呢？

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吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用

  CMP化學(xué)機(jī)械拋光應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。  CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求，需要調(diào)整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結(jié)構(gòu)及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。  在半導(dǎo)體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中，也存在

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藍(lán)寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液

藍(lán)寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液？藍(lán)寶石拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子CMP拋光液，是一種高純度的氧化硅拋光液，廣泛應(yīng)用于多種材料的納米級高平坦化拋光。吉致電子生產(chǎn)的藍(lán)寶石拋光液主要用于藍(lán)寶石襯底研磨減薄，藍(lán)寶石A向拋光液，藍(lán)寶石C向拋光液等。拋光范圍如：硅片、鍺片、化合物晶體磷化銦、砷化鎵、精密光學(xué)器件、寶石飾品、金屬鏡面等研磨拋光加工。藍(lán)寶石拋光液Sapphire Slurry的特點(diǎn)：1.高純度（Cu含量小于50 ppb），有效減小對電子類產(chǎn)品的污染。2.高拋光速率，利用大粒徑的膠

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2023吉致電子春節(jié)放假通知

尊敬的客戶:新春伊始，萬象更新，值此春節(jié)到來之際，無錫吉致電子科技有限公司全體員工感謝您長期以來對我司的支持與厚愛!向您致以最誠摯的祝福和問候!一路走來，有您相伴，因為您的支持，我們信心百倍！因為您的合作，我們碩果累累！因為您的指導(dǎo)，我們不斷進(jìn)步！因為您的呵護(hù)，我們心存感激！吉致電子科技有限公司期待與您攜手共進(jìn)，共同創(chuàng)造一個共贏輝煌的2023年，在新的一年里，我司會持續(xù)為您提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)!公司春節(jié)放假時間具體安排如下:放假時間: 2023年1月14日--1月28日  開工時間：2023年1月29日因放假

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SiO2二氧化硅拋光液--硅溶膠粒徑大小的區(qū)別

  二氧化硅拋光液SiO2 Slurry的制備中主要成分是納米硅溶膠，一般分為大粒徑硅溶膠和小粒徑硅溶膠，那么怎么定義硅溶膠粒徑大小呢，吉致電子小編為您詳解： 大粒徑硅溶膠與小粒徑硅溶膠的定義 CMP精拋液中納米硅溶膠顆粒的粒徑為10-50nm，這個粒徑范圍的硅溶膠在市場上最常見，價格也相對便宜。如果對硅溶膠的純度和pH值沒有特殊要求，這種規(guī)格的硅溶膠價格相對比較便宜。 大粒徑硅溶膠:粒徑＞50nm的硅溶膠一般可稱為大粒徑硅溶膠。吉致電子科技生產(chǎn)的大粒徑硅溶膠最大可達(dá)150n

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硅溶膠研磨液--精密工件鏡面拋光效果秘密

  吉致電子硅溶膠研磨液/拋光液采用的是納米級工藝，主要粒徑在10-150nm。適用于各種材質(zhì)工件的CMP表面鏡面處理。以硅溶膠漿料為鏡面的平面研磨的材料有半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、3C電子金屬元件、藍(lán)寶石襯底、LED顯示屏等高精密元件。  硅溶膠拋光液也稱二氧化硅拋光液、氧化硅精拋液，SiO2是硅溶膠的化學(xué)名，適用范圍已擴(kuò)展到半導(dǎo)體產(chǎn)品的CMP拋光工藝中。  CMP拋光機(jī)可以將氧化硅研磨液循環(huán)引入磨盤，同時起到潤滑和冷卻的作用，通過拋光液和拋光墊組合拋磨可以使工件表面粗糙度達(dá)到0.2um

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吉致電子陶瓷基板拋光液

  陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的決定因素。目前，已應(yīng)用作為陶瓷覆銅板基板材料共有三種陶瓷，分別是氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。吉致電子陶瓷基板拋光液能拋磨這3種陶瓷材料，并達(dá)到理想RA值。淺談一下三種陶瓷基板的性能：  氧化鋁陶瓷基板：是最常用的陶瓷基板，由于它具有好的絕緣性、好的化學(xué)穩(wěn)定性、好的力學(xué)性能和低的價格，但由于氧化鋁陶瓷基片相對低的熱導(dǎo)率、與硅的熱膨脹系數(shù)匹配不好。作為高功率模塊封裝材料，氧化鋁材料的應(yīng)用前景不容樂觀。  氮化鋁覆銅板：在熱特性方面

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SIT Slurry平坦化流程與方法

淺槽隔離（shallow trench isolation），簡稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個部分：槽刻蝕，氧化硅填充，CMP拋光液平坦化。一，槽刻蝕1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護(hù)有源區(qū)在去掉氮化硅時免受化學(xué)污染2,氮化硅(Si?N?)淀積：氮化硅是堅硬的掩模材料，有助于保護(hù)STI氧化硅淀積過程中保護(hù)有源區(qū)；在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中充當(dāng)阻擋材料3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體

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SIC碳化硅的化學(xué)機(jī)械拋光工藝

  碳化硅Sic單晶生長之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體，線切割會把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。  SiC表面的損傷層可以通過四種方法去除：機(jī)械拋光：簡單但會殘留劃痕，適用于初拋；化學(xué)機(jī)械拋光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化學(xué)腐蝕去除劃痕，適用于精拋；氫氣刻蝕：設(shè)備復(fù)雜，常用于HTCVD過程；等離子輔助拋光：設(shè)備復(fù)雜，不常用。選擇CMP

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3C鏡面拋光液用什么拋光液

  3C產(chǎn)品表面鏡面拋光一般不采用電解拋光方式，而是選擇CMP機(jī)械拋光工藝。SiO2拋光液用于3C工件的鏡面拋光工藝，主要由納米級磨料制備而成，規(guī)格一般在10nm-150nm拋光后的產(chǎn)品鏡面精度高，表面收光細(xì)膩。  氧化硅精拋液進(jìn)行精拋工藝后，工件可以從霧面提升到鏡面透亮的效果。拋光液配合精拋皮使用，鏡面效果檢測可達(dá)納米級。3C金屬拋光液用于鏡面要求較高的工件拋光，因此必須做好前道工序。先粗拋打好基礎(chǔ)，再精拋去除缺陷和不良效果。  有客戶使用二氧化硅拋光液后工件表面會產(chǎn)生麻點(diǎn)，這是由于

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吉致電子拋光液---溫度對藍(lán)寶石襯底CMP工藝的影響

  溫度在藍(lán)寶石襯底拋光中起著非常重要的作用, 它對CMP工藝的影響體現(xiàn)在拋光的各個環(huán)節(jié)。  在CMP工藝的化學(xué)反應(yīng)過程和機(jī)械去除過程這兩個環(huán)節(jié)中, 受溫度影響十分強(qiáng)烈。一般來說, 拋光液溫度越高, 拋光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化學(xué)腐蝕嚴(yán)重, 表面完美性差。所以, 藍(lán)寶石拋光液/研磨液溫度必須控制在合適的范圍內(nèi), 這樣才能滿足圓晶片的平坦化要求。實(shí)驗表明, 拋光液在40℃左右的時候, 拋光速率達(dá)到了最大值, 隨著溫度繼續(xù)升高, 拋光速率的上升趨于平緩, 并且產(chǎn)生拋光液蒸騰現(xiàn)象。&nbs

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藍(lán)寶石拋光液--拋光磨料粒徑、濃度及流速的影響

藍(lán)寶石拋光液磨料粒徑、濃度及流速的影響研究表明，在其它條件相同情況下, 隨著藍(lán)寶石拋光漿料濃度的增大, 拋光速率增大。對于粒徑為80nm的研磨料: 藍(lán)寶石拋光液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10% 時, CMP去除速率為572.2nm /m in; 而隨著質(zhì)量分?jǐn)?shù)增大至15%時,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 質(zhì)量分?jǐn)?shù)繼續(xù)增大至20% 時, CMP去除速率則增大至643.3nm/min。這主要是因為藍(lán)寶石拋光液濃度的增大, 使得拋光過程中參與機(jī)械磨削的粒子數(shù)增多, 相應(yīng)的有效粒子數(shù)也增多, 粒徑一定的情況下,

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吉致電子藍(lán)寶石研磨液CMP減薄工藝

  藍(lán)寶石研磨液/拋光液，是通過化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于藍(lán)寶石襯底、窗口片的研磨和減薄，達(dá)到減薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件產(chǎn)生劃傷。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液、CMP拋光液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研

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稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類

  隨著光學(xué)技術(shù)和集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，對光學(xué)元件的精密和超精密拋光以及集成電路的CMP拋光工藝的要求越來越高，甚至達(dá)到了極其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。鈰系稀土拋光液因其切削能力強(qiáng)、拋光精度高、拋光質(zhì)量好、使用壽命長，在光學(xué)精密拋光領(lǐng)域發(fā)揮了極其重要的作用。吉致電子氧化鈰拋光液的種類和固含量可按拋光工件的用途來分：根據(jù)氧化鈰的含量，氧化鈰拋光液可分為低鈰、中鈰和高鈰拋光液，其切削力和使用壽命也由低到高。1.含95%以上氧化鈰的鈰拋光液呈淡黃色，比重約7.3。主要適用于精密光學(xué)鏡片的

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半導(dǎo)體拋光液--球型二氧化硅拋光液的用途

  球形硅微粉作為拋光液磨料，可大大提高產(chǎn)品的剛性、耐磨性、耐候性、抗沖擊性、耐壓性、抗拉性、阻燃性、良好的耐電弧絕緣性和耐紫外線輻射性。讓我們來看看球型二氧化硅拋光液在電子芯片中的一些應(yīng)用。  精密研磨粉高純球形硅粉用于光學(xué)器件和光電行業(yè)的精密研磨，特別適用于半導(dǎo)體單晶多晶硅片、顯像管玻殼玻屏、光學(xué)玻璃、液晶顯示器(LCD、LED)玻璃基板、壓電晶體、化合物半導(dǎo)體材料(砷化鎵、磷化銦)、磁性材料等半導(dǎo)體行業(yè)的研磨拋光。  吉致電子用高純球形硅粉制備成的超高純硅溶膠拋光液slurry,

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納米氧化硅拋光液的特點(diǎn)

  納米二氧化硅拋光液由高純納米氧化硅SiO2等多種復(fù)合材料配置而成，通過電解法或離子交換法制備成納米拋光液，硅拋光液磨料分散性好，具有高強(qiáng)度、高附著力、成膜性好、高滲透、高耐候性、高耐磨性等特點(diǎn)，是一種性能優(yōu)良的CMP拋光材料。廣泛應(yīng)用于金屬或半導(dǎo)體電子封裝拋光工藝中。吉致電子硅拋光液，CMP拋光slurry應(yīng)用范圍：1、可用于微晶玻璃的表面拋光加工中。2、用于硅片的粗拋和精拋以及IC加工過程，適用于大規(guī)模集成電路多層化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圓的后道CMP清洗等半導(dǎo)體器件的加工過程、平面顯示器、多

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半導(dǎo)體拋光液---半導(dǎo)體材料有哪些？

  半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為：第一代元素半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導(dǎo)體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因為禁帶寬度大于2.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在國內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道&

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吉致電子Slurry拋光漿料--阻擋層拋光液

  目前，超大規(guī)模集成電路芯片的集成度已經(jīng)達(dá)到了數(shù)十億個元件，特征尺寸已經(jīng)達(dá)到了納米級，這就需要微電子技術(shù)中的數(shù)百道工序，尤其是多層布線、襯底、介質(zhì)等必須通過CMP化學(xué)機(jī)械技術(shù)，拋光液和拋光墊磨拋達(dá)到平坦化。VLSI布線正從傳統(tǒng)的鋁布線工藝向銅布線工藝轉(zhuǎn)變。  銅材質(zhì)具有快速遷移的特性，容易通過介質(zhì)層擴(kuò)散，導(dǎo)致相鄰銅線之間漏電，進(jìn)而導(dǎo)致器件特性失效。一般在沉積銅之前，在介質(zhì)襯底上沉積擴(kuò)散阻擋層，工業(yè)上已經(jīng)廣泛使用的阻擋層材料是tan/ta。  化學(xué)拋光(CMP)技術(shù)slurry拋光漿料

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